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2017-07-15 发布于浙江
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IGBT的PSPICE模拟

86 Journal of Xian U niversity of Technology ( 1999) Vol. 15 No.3 : 1006-4710( 1999) 03-0086-04 IGBT PSPICE 李恩玲, 周如培 ( ,, 710048) : 提出了一种用PSPICE 程序模拟绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 特性的方法。先详细介绍了IGBT 的PSPICE 模型的建立,以及利用外特性参数提取模型参数的方法。最后对所建立的模型进行了验证,证明了该方法的可行性。 : 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ; PSPICE 模拟; 功率器件; 模型 : TN431. 1　　　: A Simulation of IGBT Using PSPICE LI En-ling, Z OU Ru-pei ( Xian University of Technology Xian, 710048,China) Abstract A method to simulate the characteristics of insulated gate bipolar transistor IG-: ( BT) with PSPICE program is proposed in this paper. The preciseand effective circuit model as well as the modeling and the withdrawal of simulation parameters are described in de- tails The model is verified to befeasiblethrough simulation of an actual IGBTs character-. istics curves. Key wards IGBT PSPICE simulation power device model: ; ; ; (IGBT)MOSFET BJT , ,IGBT , , , : , ; , Allen R efner IGBT [ 123] [45] , - IG SPICE E SABER PSPICE, IGBT , , 1 IGBT ,MOSFET PIN , 11-a , , IGBT MOSFET BJT , 1-b MOSFET IGBT ,BJT IGBT MOSFET BJT : 1998-10-09 : ( 1965-), , , : IGBT PSPICE 87 PSPICE 1-b IGBT , IGBT , IGBT IGBT ,IGBT , -CGE , -CGC,-CE C , 2 , CE C DBE DSD PNP IGBT ,DBE DSDDBE PNP -,DSD MOS 1IGBT 2IGBT ,, 2 2. 1MOSFET IGBT VDMOS ,,IGBT 1- , MOS, b IGBT