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TIL113标准6脚光耦,达林顿输出,DC输入
= 98-1-23 :: 11:56 = TI 5-1
TIL113 / TIL119A
OPTOCOUPLERS
Gallium Arsenide Diode Infrared Source Optically coupled to a Silicon N-P-N Darlington-
Connected Phototransistor
High Direct-Current Transfer Ratio ... 300% Minimum at 10 mA
High-Voltage Electrical Isolation ... 1500-Volt Rating
Plastic Dual-In-Line Package
Base Lead Provided on TIL113 for Conventional Transistor Biasing
No Base lead Connection on TIL119A for High-EMI Environments
Typical Applications Include Remote Terminal Isolation, SCR and Triac Triggers,
Mechanical Relays, and Pulse Transformers
Mechanical data
The package consists of a gallium arsenide infrared-emitting diode and an n-p-n silicon darlin-
gton-connected phototransistor mounted on a 6-lead frame encapsulated within an electrically
nonconductive plastic compound. The case will withstand soldering temperature with no defor-
mation and device performance characteristics remain stable when operated in high-humidity
conditions. Unit weight is approximately 0.52 grams.
a b s o l u t e m a x i m u m r a t i n g s a t 2 5 o C f r e e - a i r t e m p e r a t u r e
( u n l e s s o t h e r w i s e n o t e d )
Input-to-output voltage ¡À1.5 kV
Collector-Base voltage ..30 V
Collector-emitter voltage (See Note 1)30 V
Emitter-collector voltage .7 V
Emitter-Base voltage(TIL113)7 V
Input-diode reverse voltage3 V
oC free-air temperature
Input Diode Continuous Forward Current at (or below 25
(see Note 2) 100 mA
Continuous Power Dissipation at (or below) 25oC free-air temperature
Infrared-Emitting Diode (See Note 3) 150 mW
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