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　第 20 卷第 11 期 半　导　体　学　报 . 20, . 11 V o l N o 　1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999 - 材料的电学补偿 SI GaA s 赖占平　齐德格　高瑞良　杜庚娜　刘晏凤　刘建宁 ( 电子工业部第四十六研究所　天津　300220) 摘要　研究了H PL EC 工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中, 熔体的化学剂量比对晶体深施主缺 陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响. 由N 型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象 进行了解释, 给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比. 并将近 本征半导体的物理模型推广至半绝缘砷化镓单晶, 得到了较理想的电阻率范围. : 7220, 6150 , 6855, 8110, 8115, 7280 PACC C 1　引言 材料是制作超高速数字电路和微波功率器件的理想衬底. 材料的半绝缘性能 S I GaA s 是通过缺陷能级的补偿来实现的. 随着L EC GaA s 单晶生长工艺的不断发展, 材料的补偿 机理亦在不断变化. 在 PBN 坩埚取代石英坩埚后, 硅沾污大量减少, 因此已可以非掺杂即获 得稳定的半绝缘性能. 实验发现, 非掺L EC GaA s 单晶的半绝缘性能主要来自于深施主能 [ 1～ 3 ] 级 EL 2 和浅受主碳的补偿 . 对于 EL 2 能级的本质, 尚没有完全弄清, 但通常认为, 其和反 位缺陷A sGa 有关. 本文主要探讨了熔体的化学剂量比对晶体中 EL 2 浓度、碳含量以及材料 电学性能的影响. 2　实验 晶体生长在M elbou rn 高压单晶炉中进行, 采用常规的原位合成直拉 GaA s 单晶工艺. 装料量为: , 1700 ; , 1555 ; 过量砷 = - × 分子量 分子量= 29 ; A s g Ga g A s A s Ga A s Ga g , 500 . 使用 152 的 坩埚. 晶体生长结束后, 称取总产出量, 计算生长过程中砷 B 2O 3 g cm PBN ( ) ( ) 的损失, 进而计算晶体各部分的化学剂量比. 分别从晶体 图 1 头部A 处 固化系数006 、 ( ) ( ) 中后部B 处 固化系数058 和尾部 C 处 固化系数071 切横断片进行分析, 在B 和 C 之 间沿直径, 再分别切 05 和 3 厚的剖面片, 05 的剖面片沿轴向分割成 5 ×5 2 mm mm mm mm ( ) 　 本研究为“九五”攻关“光纤通讯电路用半绝缘砷化镓材料研究”977680101