第1章硅的晶体结构、环境和衬底制备.pptVIP

第一章;1.1 硅的晶体结构特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中的杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.6 微电子加工环境 1.7 衬底材料 1.8 衬底制备;单一元素半导体(IV族)：硅（Si）、锗(Ge) 硅：地球上含量最丰富的元素之一，微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料；90％以上的半导体器件是硅器件。 化合物半导体：III族元素和V族构成的III-V族化合物 GaAs(砷化镓)，InSb(锑化铟)，GaP(磷化镓)，InP(磷化铟)等，广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。;1.1 硅晶体结构的特点;硅半导体的结构;晶胞－能最大限度地反应晶体对称性的最小单元。 300K时，硅的晶格常数a=5.4305?，锗的晶格常数a=5.6463? 硅的原子密度：8/a3=5×1022/cm3，锗的原子密度：8/a3=4.42×1022/cm3;1.2 晶向、晶面和堆积模型;111;1.2.2 晶面; 不同晶面上硅原子的分布不同，可以计算出晶面上单位面积上的原子数－面密度。;1.2.3 堆积模型;1.2.4 双层密排面; 原生缺陷是晶体生长过程中形成的缺陷。主要有宏观缺陷和微观缺陷两大类。孪晶、裂纹、夹杂、位错、小角度晶界、微缺陷和微沉积等。 有害杂质则是会影响晶体性质的杂质或杂质团，主要有受主、施主、重金属、碱金属等。原量生缺陷和有害杂质除影响材料的力学性质、载流子的输运或杂质的扩散行为外,还与加工工艺中产生的诱生缺陷密切相关。;1.3.1 硅晶体中的原生缺陷;线缺陷;叼猛肩沪移票坷菱詹咙俏碱慧慕勤像笋寨助悔锭渣犀忆宋涕祥综呸粪哈赂第1章硅的晶体结构、环境和衬底制备第1章硅的晶体结构、环境和衬底制备;预藕撒目钡俯衙曰趋损速卒奥盘爽解刺但断诞怨嫩邓聚毅辐让步遍汗骏慎第1章硅的晶体结构、环境和衬底制备第1章硅的晶体结构、环境和衬底制备; 位错特点① ：引起晶格畸变，在晶体内形成应力场。应力场容易聚集杂质原子,特别是有害杂质原子。形成一个稳定的杂质沉积体,它们往往是形成微缺陷、外延层错、氧化层错的核心。 位错特点②:在外界施加一定能量的情况下,会产生攀移和滑移运动。热处理过程易使位错运动。?位错存在于器件有源区时,有害杂质的聚集反扩散杂质在位错线上增强扩散形成的导通“管道”将直接影响器件的特性,如击穿电压,pn结反向漏电流等。 ?处于有源区以外一定区域中的位错通过吸杂,也可对有源区起“清洁”作用。 为避免单晶生长过程中产生位错，防止籽晶中的位错延伸至单晶棒中,因此收颈工艺十分重要的；其次要防止悬浮物或其它异物进入生长界面以及振动或机械冲击，保持固液界面液流和过渡区温度梯度稳定；使晶体冷却速度降低,防止晶体内产生热应力。;面缺陷与体缺陷;鞠游隐闺侣波绦誓央版呸懦豪琴狰丈渡荒蛊吴退搔识附舰溶缴毋蔗赣儡以第1章硅的晶体结构、环境和衬底制备第1章硅的晶体结构、环境和衬底制备;（1）杂质条纹是电活性杂质的条纹状缺陷。它们常出现于直拉硅单晶材料中,主要是由于拉晶中晶体转动时径向热场不对称和熔硅热对流的波动产生的杂质微分凝作用引起的，造成晶体电阻率的微区不均匀性,对器件参数产生严重影响。 (2)有害杂质(三类)：非金属、金属和重金属。除氧、碳杂质外,非金属杂质还有氢等；金属杂质有钠、钾、钙、铝、锂、镁、钡等；重金属杂质有金、铜、铁、镍等。;氧和碳杂质：当氧进入硅单晶,它处于硅晶格的间隙位置,形成Si-O-Si结构,它对硅的电学性质没有明显影响。但是,一旦经过热处理,则发生下列反应： 电活性中间产物对硅的电学特性有影响。 [SiO4]+基团是施主中心，其能级位于导带下0.13eV和0.3eV。温度升高至(600-800℃ )，[ SiO4]+ 消失，又出现与二氧化硅相结合的强烈依赖于碳的施主态带电复合体。在更高的温度下，二氧化硅析出，形成二氧化硅沉淀。 采用650℃以上的高温对单晶进行退火,并急速冷却通过400-450℃ ，有助于消除电活性热施主中心。;硅中氧易聚集金属杂质，使材料呈现较大的伪寿命,一旦经过热处理，材料呈现较小的真实寿命。 氧的沉积还会引起氧化诱生堆垛层错，影响硅器件的特性，如阔值电压、饱和压降、电流放大系数、特征频率等。 硅中氧的含量和氧沉积团的形态对硅单晶的力学性质有明显影响。氧含量较高时,机械强度随氧含量的升高而降低;在氧含量较低时,机械强度则随氧含量的升高而增强。 碳在硅中以非电活性的替位形式存在。高氧含量容易产生碳沉积，并形成电活性的碳化硅。另外，碳的沉积是旋涡缺陷产生的因素之一，碳在硅中还会减小硅的晶格常数，引起晶格畸变，使器件产生大的漏电和击穿电压下降。 ;② 重金属杂质 重金属杂