忆阻器模型介绍.docxVIP

TEAM: ThrEshold Adaptive Memristor Model介绍对忆阻装置特征的需求：随内部状态改变的阻值；非易失性；内部状态依赖于电荷的非线性，电流越高改变越大（保证无损的读取机制）；如今提出的忆阻模型：基本需求：精确，计算效率，模型简单直观，封闭式的；普遍适用线性离子漂移模型窗函数：对线性离子漂移模型的改进当状态变量x到达边界时为0，其他时刻为1.，P为正整数，当p足够大时，窗函数近似于矩形窗函数，非线性离子飘逸现象减少；图形如下：存在问题：当w趋近边界时，状态变量不改变。为了改善该问题，提出来一个新的窗函数：，i为忆阻电流。没有比例因子，无法调节（函数最大值无法改变）——乘以一个比例因子解决该问题，函数为j是根据f(w)值改变的控制参数。窗函数解决了边界问题，显示了一种非线性现象，但不能完全形容非线性离子漂移。未加比例因子；改进后。非线性离子漂移模型逻辑电路需要更多的非线性I-V特性，（参考文献15），该模型假设了一种不对称的转换关系，状态变量对电压的非线性依赖a.m常数,m奇整数，f(w)窗函数。Simmons隧道结模型假设非线性与不对称性来源于电离子掺杂物的运动的指数依赖。，表示氧空位的迁移速度。正向电压，coff更大，氧空位迁移更快。自适应阈值忆阻模型V-I关系未确定，能适用于各种情况。A：前文提到的模型缺陷及对现提出模型的需求；B，C：描述状态变量