紫外写入技术制备光波导器件研究1.pdfVIP

第 27 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 4 2006 年 4 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Ap r . ,2006 紫外写入技术制备光波导器件研究 吴远大 　夏君磊 　安俊明　李建光 　王红杰 　胡雄伟 ( 中国科学院半导体研究所光电研发中心, 北京 　100083) 摘要 : 研究了采用 P ECV D 方法生长的Si 基 SiO2 波导材料的光敏特性. 经过高压载氢处理 ,利用 Kr F 准分子激光 ( ) 脉冲 工作波长为 248n m 在波导材料中诱导出的折射率变化量达到 0005 , 相对值约增加 034 % . 详细研究了紫 外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况. 最后 ,采用紫外写入法在 P ECV D 方法生长的 Si 基 Si O2 波 导芯层中制备出了单模波导和 Y 分束器样品, 并观测到了通光现象 , 实测结果与模拟结果一致. 关键词 : 紫外写入; 折射率; 光波导; 分束器 EEACC : 1320 中图分类号 : TN 814 + 6 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 作光波导具有制作成本低 、操作方便 、有利于降低波 1 　引言 导损耗; 而且 , 紫外光诱导法直接写入波导 , 可以通 过控制光斑尺寸和扫描过程来调节波导芯的宽度和 光子集成或光电子集成主要有两种途径 , 即单 折射率分布台阶参数 , 这对大规模平面光路的各种 片式集成与混合式集成. 就用于混合式光集成的无 布局设计以及对光路的局部进行再加工等都是非常 源光波导而言, Si O2 光波导因其本征损耗低 、价格 有利的. 低廉 、与石英玻璃通信光纤的兼容性好等优点而受 本实验采用 Kr F 准分子脉冲激光辐照 P E CV D 到广泛的关注. Si O / Si 光波导典型的制作工艺是 法制备的 Ge O Si O 薄膜 , 获得的折射率变化相对 2 2 2 F HD + R I E ( 或者 P E CV D + R I E) : 即用火焰水解 值达到了034 % . 并且 , 通过硅掩模板在硅基 Si O2 ( ) 法 或等离子增强化学气相沉积法 先在单晶硅衬底 平面波导中制备出了单模条形光波导和 1 ×2 波导 上淀积厚Si O2 下包层和掺 Ge 的SiO2 波导芯层后 , 型分束器. 采用 R I E 或者 I C P 刻蚀出波导芯条 , 然后再淀积一 层 Si O2 厚膜作为上包层. 这种制作工艺完全是基于 2 　实验 集成电路中的 CM OS 技术平台, 即在超净间里进行 照像 复 印、反应离子刻蚀等复杂 的工艺制作过