以电解混凝法处理化学机械研磨废水 - 国立交通大学机构典藏.pdf

以電解混凝法處理化學機械研磨廢水－影響因子及反應機制 研究生：柯宏杰 指導教授：黃志彬 博士 國立交通大學環境工程研究所 摘 要 化學機械研磨廢水 (Chemical Mechanical Polishing, CMP)技術，近年來由於半 導體製程元件快速地發展，線寬不斷的縮小，因此對於能使晶圓全面平坦化的 CMP 技術越顯重要，而 CMP 製程不但會消耗大量的超純水，且會產生大量不易 處理的廢水。而對於此一廢水目前實廠處理方面，大多仍以化學混凝法為主，然 而隨著近年來台灣的半導體工業不斷發展，所需的用水量日益增加，因此對於水 資源不易蓄留的台灣而言，此股大量的廢水勢 必要回收使用，但以化學混凝處理 後的出流水，由於加入的酸鹼藥劑與混凝劑等使其導電度偏高，使得此股水回收 用途有限，故此、目前園區多數廠家，已開始以薄膜程序搭配前處理或後續單元， 處理並回收 CMP廢水。 但薄膜處理程序是對於規模較大的廠家而言，才具經濟效應，對於一般規模 的廠家成本過高，所以除了多廠廢水合併處理的方法外，簡易且經濟方法的研發 是相當重要的研究。電解混凝法即是其 一，本研究將過去使用電解混凝處理 CMP 廢水之影響因子做一完整的整理；且對於電解混凝反應 機制方面，以各操作條 件、反應時 pH時的相對物種，以及界達電位等參數，經綜合分析比較後，歸納 出電解混凝程序處理CMP廢水中的兩個主要機制：一是陽極釋出的二價鐵離子， 在表面的擴散區中，與被電場作用力吸引到陽極板表面的 Silica顆粒，行電性中 和作用，隨及附著在「孔蝕化」的陽極板上，形成污泥；另一機制是，釋出的二 價鐵離子離開擴散區後，在溶液中會 與水分子以及水中溶氧，反應形成 Fe(OH)4 －及 Fe(OH)3 等氫氧化物，此氫氧化物在溶液中會進一步形成水合的膠狀懸浮物 質，能吸附 Silica 等污染物顆粒，並沉降到槽體底部形成污泥；藉由此兩反應機 制可去除 CMP中穩定懸浮的 Silica顆粒。綜和各項影響因子與反應機制，且待 後續電混模式確立後，對於小型簡易的 CMP電解混凝處理單元於實廠的推行， 將是一大貢獻。 關鍵字：電解混凝、化學機械研磨廢水、腐蝕、孔蝕化、界達電位 I Electro-Coagulation Treatment for CMP Wastewater －Factors Affecting Operation and Reaction Mechanism Student ：Hungchieh Ke Advisor ：Chihpin Huang Institute of Environmental Engineering National Chiao Tung University Abstract Chemical mechanical polishing (CMP) has emerged as a preferred planarization technic in the manufacturing of multilevel integrated circuits. This process not only consumes large amount of ultra-pure water (UPW) but also produces great quantity of wastewater which is difficult to treat. With the continuous development in semiconductor industry, the demand for UPW