电子束蒸发方法研究mg2si的薄膜及其光学带隙!.pdfVIP

第36卷第2期 红外与毫米波学报 V01．36．No．2 2017年4月 J．InfraredMillim．Waves April，2017 文章编号：100l一9014(2017)02—0202一06 电子束蒸发方法研究M＆Si的薄膜及其光学带隙 肖清泉1’2’4一，房 迪2， 赵珂杰3， 廖杨芳2， 陈 茜2， 谢 泉2 (1．安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心，贵州安顺56l()()o； 2．贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所，贵州贵阳550025； 3．中国科学院北京分院科技合作处，北京100190； 4．格林威治大学计算力学与可靠性研究中心，伦敦SEl09Ls) 摘要：M岛Si材料作为一种新型环境友好半导体材料，其薄膜制备方法及其光学性质的研究对其应用研发起到基础 性作用．采用电子束蒸发方法在si(111)衬底上沉积Mg膜，在氩气环境下进行热处理以制备Mg：si半导体薄膜．采 h)对M92Si薄膜形成的影响．xRD和SEM结果表明：通过电子柬蒸发沉积 强200Pa下，研究热处理时间(时间3-7 h，得到致密 方法在500℃、热处理时间为3～7h能够得到M＆Si薄膜．热处理温度是500时，最佳热处理时问是4 eV，直接 度好的薄膜．通过对薄膜的红外透射谱测试，得到了Mg：si薄膜的光学带隙，其间接光学带隙值为0．9433 光学带隙值为1．1580eV．实验数据为Mg：si薄膜的研发在制各工艺和光学性质方面提供参考． 关键词：半导体薄膜；M岛si；电子束蒸发；热处理 中图分类号：0484．1文献标识码：A and of Sinlm opticalbandgapM92 deposited Preparation beam electron by evaporation XIAO FANG ZHA0 LIAO CHEN XIE Qing—Quanl’2’4一， Di2， Ke—Jie3， YANG—Fan92，Qian2， Quan2 fbrAvionics andITlfbmla“onNetworkofGuizhouf’rovincial (1．En西neeringCenter Electrical CoIleges and Guizhou Universities。Anshun561000，China； 2．InstituteofAdvanced Materi“sand of of DataandInfomla矗on Optoeieetronic Techno工ogyColIegeBig En百nee打ng， Guizhou Guizhou Universitv．Guivang550025，China；