相变存储器的存储技术教学研究!.pdfVIP

学术探讨·旋撒≠ 相变存储器的存储技术教学研究 李华 51 (清远市技师学院，广东清远 1517) [摘要]相变存储器的诞生，是人类存储技术的一个里程碑，它改善了传统DRAM存储方式的缺陷，进一步拓展了计 算机内存，使计算机结构发生了创新性的变革。本文从相变存储器的概念入手，对其相变存储技术进行初步的分析研究，总结 它的规律和特点，以期为今后的存储技术教学带来一些有益的帮助。 [关键词]相变存储器；存储系统；存储技术 中图分类号：TP333 文献标识码：A 文章编号：1008．6609(2017)03．0069．03 材料组成，这种材料具有可逆转的物理状态，将其应用于信 1 引言 息存储技术中，使得存储器具备了非易失性、存储密度高、使 随着计算机技术的进一步发展，人类全面步入了数字时 用寿命长、工艺尺寸小、读写速度快、功耗低等优点。这种可 代，科技已经给入们的生活带来了翻天覆地的变化。其中最 逆转的物理状态其实就是存储器的介质材料在适当条件下 显著的一点，就是信息的创造、接收和传输，无数的信息构成 会在非晶体状态和晶体状态之间发生转变，在转变的过程中 了现代社会的主要框架，是人与人之问进行沟通的主要手 两种状态都会呈现出各自的电阻特性和光学特性。因此，可 段。可以说，我们现在身处于一个以信息为载体的巨大的数 以利用“0”和“1”来表示这两种状态。应用在相变存储器中， 据社会之中。海量的数据虽然给人们的生活带来了便利，却 “l”就表示一个中温结晶的过程：通过对硫族化合物施加一 也使得计算机及相应的存储系统受到了严峻的考验，如何提 个强度适中、时间较长的电脉冲，使其持续加热直至温度上 高计算机的内存容量及运算速度，加强内存的可靠性，成为 升到中温(即温度以上、溶化温度以下)从而导致结晶，这个 当前计算机行业面临的最大难题。我们熟知的内存技术 中温结晶的过程也被称为SET过程。“O”则表示一个高温淬 Data Rate21及DDR3已经逐渐淘汰，现在 DDR2(Double 火的过程：对硫族化合物施加一个强度很高但时间较短的电 DDR4的技术已经十分成熟，但是在面对不断增长的信息数脉冲，使材料温度迅速上升到熔点之上，然后迅速进行淬火 量时，DDR4内存技术也开始遇到瓶颈。这既有DRAM(动态(即迅速降温)，材料将由熔融状态进入非晶体状态，这个高 随机存储器)的尺寸已经达到极限，以目前的制作工艺来说 温淬火的过程被称为RESET过程。尽管相变存储器的概念 难以再有突破的问题；也有信息载入和数据刷新所导致的能 相对复杂，对于高职院校的学生来说不易于理解和掌握，但 耗随着内存容量的增加而扩大的问题。因此，人们开始转而 是其广泛的应用前景，能够为学生今后的学习和发展提供重 研究微观电子技术，例如NVM(非易失存储器)、STT--RAM要的帮助，值得进行深入的教学研究。 (自旋转移矩磁随机存储器)，MRAM(磁性随机存储器)和Fe—相变存储器在实际环境中的表现稳定，各种性能优良， RAM(铁电随机存储器)等，都是新型存储器的典型代表，其是各大厂商和研究机构的重点研究对象。可以肯定的是，未 Memory)，即相变存储器，以在实践应来存储系统的发展趋势将会由它来主导。目前来说，主要是 中PCM(PhaseChange 用中的表现受到了广泛好评，发展前景十分看好。本文在介 作为计算机系统的内存和外存。相比较DRAM而言，PCM 绍相变存储器的概念及应用的基础上，进一步探讨其教学方 作为内存的写延迟要高出10倍，但是它具有非易失性，并且 法，为相变存储器的教学应用积累一定的经验。 存储密度较大