6H-SiC肖特基源漏MOSFET的分析.pdfVIP

摘要 摘要 称6H—SiCSBSD—MOSFET)。6H-SiC 的pn结来做MOSFET的源漏区。这种器件结构制备工艺简单，避免了长期困扰 常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大，注入激活 率低等问题。 论文给出了6H—SiC 机制。根据其结构特点，我们可以将其看作是两个背靠背的肖特基二极管。源漏 区肖特基接触界面的特性和常规肖特基二极管相似，电流的输运主要以热电子发 射和隧道效应为主。 通过二维模拟软件MEDICI模拟了6H．SiC SBSD．MOSFET的基本伏安特性， 并和常规SiC MOSFET特性进行了比较，分析了源、漏、栅金属功函数、栅氧化 层厚度、栅长t衬底掺杂浓度和其它因素对6H．SiC 响。 对6H-SiC 中关键工艺的选择，初步摸索了一套制造6H．SiC 和工艺条件，并进行了投片。 本文对6H·SiC 作为这种新结构器件的研究发展奠定了基础。 关键词：碳化硅 SBSD—MOSFET 肖特基接触 模型和模拟 伏安特性 Abstract Abstract Anovel6H—SiCmetal-oxide—semiconductorfield—effecttransistorwith Schottky Barriercontactsforsourceanddrainf6H-SiC inthis SBSD—MOSFET)iSpresented of sourceanddrain are paper．Insteadusingheavilydopedpnjunction，the regions metal—semiconductorcontacts．Thiskindofdevice completelyreplacedby gives fabrication the ofion and at advantages avoidingsteps implantationannealinghigh fortheconventionalSiCMOSFET．Alsoithasnothe of temperature problemscrystal causedion andlowactivationrateof atoms． damage by implantation implanted basicstructureof6H·SiCSBSD—MOSFETis the Firstly，a presented，andtransport characteristicsare noveltransistorcarlbe astwoback-to—back analyzed．The regarded barrierdiodes．TheI—Vcharacteristicsatthemetal／