C(膜)Si(SiO,2)(纳米微粒)C(膜)夹层膜的结构及其光致发光性质分析.pdfVIP

中文摘要 C(膜)／si(Si02)(纳米微粒)／C(膜)夹层膜 的结构及其光致发光性质研究 作 者：邱晓燕(98120) 指导教师：李建(教授) 研究专业：凝聚态物理 研究方向：纳米半导体发光材料 (西南师范大学物理系 重庆400715) 摘要 本文首先简要介绍了当前硅基发光材料的发展概况，研究了硅基发光材料常见 的几种光致发光理论模型。在比较综合硅基发光材料常见制备方法优缺点的基础 (膜)夹层膜。本文详细解释了夹层膜的制备方法和加热退火处理过程。用透射电 析，较全面地分析研究了样品的形态结构和物相成分。利用荧光分光光度计和激光 喇曼谱仪(LRS)研究了样品的光致发光(PL)特性和喇曼光谱特性，并从机理上进 行了初步探讨。 ／在样品的制备方面主要取得了以下研究结果： ＼在硅基发光材料常见的颗粒膜或多层膜结构基础上，设计出C(膜)／Si 光溅射法结合真空镀膜法制备出了夹层膜样品．实验证明，这种形似量子阱的结构 具有不同于其它硅基发光材料的独特的光致发光性质． 通过TEM、SEM、XRD和XPS全面研究夹层膜的形态结构发现： 50删． 主奎苎萋—— 50℃加热后，膜表面微粒大小 (2)在400℃加热后，膜表面出现孔状结构：6 最均匀，结合最致密． (3)由于遭到氧化，膜内微粒形成外壳为siO：，内核为Si的两相结构．在C 原子的还原作用和氧气的氧化作用的共同作用下，si0：／si的比值随加热温度的升高 而呈现交替变化：400℃时，c的还原作用占主导地位，si02几乎全部被还原成了 生成了不同于常见晶体结构的sic． 在样品的光致发光特性方面，主要研究结果如下： 5 98rlm (1)在波长为20nm的紫外辐射激发下，刚制备出来的样品在3 (3．1 (3．44eV)附近的PL，肩峰． (2)PL峰形状和峰位不随退火温度的变化而变化，但强度却随退火温度变 PL峰强度增加：650C后．PL峰强度又开始降低。 (3)PL峰形状和峰位不随激发波长的变化而变化，但随着激发波长的增加． PL峰强度逐渐降低． 在样品的光致发光机理方面，取得以下研究结果： (1)峰住在398nm(3．1 2eV)的宽带紫光PL】峰的光激发发生在SiO，微粒内 正比． 一空穴复合发光． 米微粒)／C(膜)夹层膜的方法是可行的，其膜夹微粒的结构使其具有其它硅基发 光材料不具有的紫光波段的光致发光特性。、／一一√、 关键词：c膜；Si(Si02)纳米微粒；光致发光 【 、／L Abstracts of The onthe andPhotoluminescencc Study Configuration Particles)IC(f’ilm) C(Film)／Si(SiO，J(Nanometer 120) Qiu(98 Author．．Xiaoyan