Cu掺杂ZnO稀磁半导体的制备、微观结构和磁特性分析.pdfVIP

摘要 ZnO基稀磁半导体在实现电荷和自旋的同时操纵方面有极大的应用价值， 是制各自旋电子学器件的首选材料，如何研制出具有室温铁磁性的ZnO稀磁半 导体，使其制备的自旋器件在室温下能够应用，是当前人们研究的热点。尽管有 许多关于其室温铁磁性的报道，但是这些观察到的铁磁性是源于掺杂离子的替位 效应还是其偏析物一二次相或团簇，存在较大争议。究其原因是常规分析手段(如 XRD)很难探测到稀磁半导体中低浓度掺杂离子的详细结构信息，而磁性来源 和ZnO稀磁半导体的微观结构是密切栩关的。所以选择灵敏度高的分析手段来 研究ZnO稀磁半导体的微观结构是了解其磁性来源的关键。另外，为了避免二 次相或团簇问题，选择非磁性元素(如Cu)作为掺杂剂，目前是人们关注的焦 点。本论文选择Cu作为掺杂剂并使用高灵敏的同步辐射X射线衍射(SR．Ⅺ①) 和X射线吸收精细结构谱(Ⅺ虹S)结合质子激发X射线荧光技术(PⅨE)、X 射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman Spectrum)和交变梯度磁强计(AGM) 等多种分析手段对Znl-xCuxO稀磁半导体的微观结构和磁性进行详细研究，得到 了一些有价值的研究结果。 1．使用经过恢复和改造的磁控溅射镀膜机，采取射频磁控溅射和复合靶技 术，在蓝宝石(A1203)衬底上制备了一系列znl．xCuxO薄膜。 2．几]PIXE测量了样品rflCu的含量，结果表明样品rfl除了Cu，没有如 ZnO六角纤锌矿结构，没有发现Cu团簇和CuO、Cu20等二次相。同步辐射扩 展X射线吸收精细结构谱(EXAFs)结果表明Cu替位zn进入了ZnO品格，但 是替位使Znl．。Cu。O处于中等无序状态，这也被Raman光谱所证实。XPS谱中 的Cu2+独有的卫星峰，表明样品中存在+2价的替位Cu，+2价的Cu能够提供 局域磁矩。 3．交变梯度磁强计(AGM)测量结果表明znI．。Cu。O薄膜样品在室温呈现 明显的铁磁行为。根据微观结构分析结果，认为所观察到的室温铁磁性应该是本 征的、内在的而非外源性的。由于样品的长程有序受到一定程度的破坏并且Cu 有可能分布不均匀，Cu离子提供的磁矩不能被充分利用，导致样品的铁磁性较 小。考虑到样品的电学性质，样品的铁磁性应该用缺陷调节机制来解释。 关键词：Cu掺杂ZnO稀磁半导体；制各；微观结构；铁磁性 Abstract ZnO-baseddiluted all rolein magneticsemiconductors(DMSs)playimportant at akind the ofelectron’Sand thesametime．Itis realizingmanipulation chargespin of materialfor device．Howto ZnO-basedDMSwith preferred spinctronics develop room andmakethe device atroom temperatureferromagnetismspinctronicsapplied aretheresearch arealotof onroom temperature hotspot．There reports temperature these forZnO-based itisstillcontroversialwhether ferromagnetism DMS，but observed comesfromthesubstitutionaleffectof ionorthe