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XPS 分析中注意的问题 B、俄歇线(Auger Lines): 俄歇过程是一个三电子过程。俄歇电子的动能,在考虑了驰豫和样品与仪器接地后,可以如下计算: 式中ER是驰豫能,W‘是仪器的功函数。从式中看出,俄歇电子的动能与激发源无关。 由于俄歇电子的动能与激发源无关,使用不同的激发源对同一个样品采集谱线时,在功能为横坐标的谱图里,俄歇线的能量位置不变;在以结合能为横坐标的谱图里,光电子线的能量位置不变,而俄歇线的位置发生了改变。利用这一点,在区分光电子线和俄歇线有困难时,可以利用换靶的方式区分。 另外,俄歇线也有化学位移,而且与光电子线的位移方向一致。有时候鼓动性位移不明显时,可以利用俄歇线位移,对元素化学状态提供信息。 0.5 3.6 0.2 4.0 0.4 6.4 0.8 4.6 0.1 2.3 光电子位移/eV 俄歇线位移/eV In ?In2O3 Ag ?Ag2SO4 Mg ? MgO Zn ? ZnO Cu?Cu2O 状态变化 XPS 分析中注意的问题 C、X射线卫星峰(X-ray Satellites) 用来照射样品的X射线并非单色光,因此,处了X射线的特征线可以激发光电子外,X射线的卫星线也可以激发光电子。这样,在XPS谱图中的光电子主线附近,出现X射线卫星峰。因为这些光电子具有较高的动能,所以他们经常在低结合能端或者高动能端,强度较弱。 D、多重分裂(Multiple Splitting) 当原子或者自由离子的价壳层上拥有未成对的自选电子时,光致电离所形成的内壳层空位同价带上未成对的自旋电子发生耦合,使体系不止出现一个终态。一个终态,XPS谱图上有一条谱线,这就是多重分裂。过渡金属、稀土和锕系元素的XPS谱图多出现多重分裂现象。 * XPS technology Prepared by Duke/ST-Metrology Reference material: 1、《材料结构表征及应用》,吴刚主编,化学工业出版社 2、《现代分析技术》,陆家和,陈长彦主编,清华大学出版社 3、网上的若干网站,会有一些资料。 X射线光电子能谱分析 电子能谱分析是一种研究物质表层元素组成与离子状态的表面分析技术。其基本原理是利用单色X射线照射样品,使样品中原子或者分子的电子受激发射,然后测量这些电子的能量分布。 通过与已知元素的原子或者离子的不同壳层的电子的能量相比较,就可以确定未知样品中原子或者离子的组成和状态。 X射线 电子 电子 被测样品 一般认为,表层的信息深度为10 nm左右。如果利用深度剖析技术如离子束溅射等,可以对样品进行深度分析。 常用的电子能谱技术有:X射线光电子能谱分析(XPS)俄歇电子能谱分析(AES)紫外光电子能谱分析(UPS) 等等。 X射线光电子能谱分析的基本原理 样品受到X射线辐照后,发射出光电子,被探测器收集后经过计算机处理,得到该样品的XPS能谱图。 1954年,瑞典皇家科学院院士、Uppsala大学物理研究所所长K. Siegbahn 教授研制出世界上第一台Photoelectron Spectroscopy (XPS)。此后,精确测定了元素周期表中各种原子的内层电子结合能。 但是,直到1960年代,他们在硫代硫酸钠的研究中发现S原子周围化学环境的不同,会引起S内层电子结合能(S2p)的显著差异后,才引起人们的广泛注意。因为:原子内层结合能的变化可以提供分子结构、原子价态方面的信息。 此后,XPS在材料研究的不同领域内得到了广泛的应用。 1981年Siegbahn教授获得了诺贝尔物理奖 X射线光电子能谱分析的基本原理 1、光电效应(光致发射或者光电离): 如右图示。原子中不同能级上的电子具有不同的结合能。当一束能量为h?的入射光子与样品中的原子相互作用时,单个光子把全部能量交给原子中某壳层(能级)上一个受束缚的电子。如果光子的能量大于电子的结合能Eb,电子将脱离原来受束缚的能级,剩余的能量转化为该电子的动能。这个电子最后以一定的动能从原子中发射出去,成为自由电子;原子本身则成为激发态的离子。 在某些情况下,还会引起俄歇电子的发射。(为什么?)俄歇电子发射对于材料的结构分析很有用处。 X射线(h?) 光电子(e-) X射线光电子能谱分析的基本原理 1、光电效应(光致发射或者光电离): 当光子与材料相互作用时,从原子中各个能级发射出的光电子的数目是不同的,有一定的几率。光电效应的几率用光电截面?表示,定义为某能级的电子对入射光子的有效能量转移面积,或者一定能量的光子从某个能级激发出一个光电子的几率。所以, ? X射线(h?) 光电子(e-) 与电子所在壳层的平均半径r,入射光子的频率?和受激原子的原子序数Z有关。一般来说,在入射光子的能量一定的情况下:1、同一原子中半径越小的壳层,光电效应
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