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实验 用光的干涉法测量薄膜厚度 在半导体平面工艺中，SiO 薄膜的质量好坏对器件的成品率和性能影响很大，因此对SiO 2 2 薄膜必须作必要的检查，厚度测量是SiO 膜质量检查的重要内容之一。SiO 膜厚的测量有多 2 2 种方法：如椭圆偏振仪测量，比色法估计等。干涉法测SiO2膜厚是生产中较普遍采用的测量 方法，其优点是设备简单，操作方便，无需复杂的计算。 本实验目的是了解干涉显微镜的结构，熟悉测量膜厚的基本原理；掌握用干涉条纹法和 弯曲度法测量不同样片膜厚的方法，并测出所给样品的膜厚。 一、实验原理 干涉条纹的测量原理是：当用单色光垂直照射氧化层表面时，由于SiO 是透明介质，所 2 以入射光将分别在SiO 表面和SiO -Si界面处反射，如图28.1 所示。 2 2 根据光的干涉原理，当两道相干光的光程差△为半 (1) λ Δ K 2K λ (2) 波长的偶数倍，即当 (K=0 ，1，2 ，3 …) 2 X X3 x2 时，两道光的相位相同，互相加强，因而出现亮条纹。 Si 衬底 当两道光的光距差△为半波长的奇数倍，即当 λ (2 1) SiO 表面 =Δ + K 时，两道光的相位相反，因而互相减弱， 2 2 出现暗条纹。由于整个SiO2 台阶的厚度是连续变化的， 图28.1 氧化层厚度测量原理示意图 因此，在SiO2 台阶上将出现明暗相间的干涉条纹。 在图28.1 中，光束S 在SiO 台阶上的反射光束用(1)表示，在SiO -Si界面的反射光束用(2) 2 2 2 表示。根据光程的概念和小入射角的条件，光束(2)在SiO 内走过的光程应近似为2nX ，这里 2 2 n为SiO 的折射率，X 为入射照射处SiO 厚度。由图可见，光束(1)和光束(2)的光程差为2nX 。 2 2 2 2 假如光束(1)和光束(2)