第四课稳恒磁场.ppt

§4.2 载流回路的磁场 1.毕奥－萨伐尔定律 2.载流直导线的磁场 3.载流圆线圈轴线上的磁场 4.载流螺线管中的磁场 §4.3 磁场的高斯定理与安培环路定理 1.磁场的高斯定理 2.磁场的安培环路定理 §4.4磁场对载流导线的作用 1.安培力 2.平行无限长直导线间的相互作用 3.矩形载流线圈在均匀磁场中所受的力矩 4.载流线圈的磁矩 4.4.4 载流线圈的磁矩 考虑线圈的磁矩 ，则上式矢量表示为: §4.5带电粒子在磁场中的运动 1. 2. 3.带电粒子在均匀磁场中的运动 4.荷质比的测定 5.霍耳效应 洛伦兹力: 运动电荷在磁场中所受的力。实验证明，运动带电粒子在磁场中受的力F与粒子的电荷q、它的速度v、磁感应强度B有如下关系： 按照矢径的定义，上式表明，F的大小为: 安培力是作用在自由电子上洛伦兹力的宏观表现。如图，考虑一段长度为ΔI的金属导线，它放置在垂直纸面向内的磁场中。设导线中通有电流I，其方向向上。 从微观的角度看，电流是由导体中的自由电子向下作定向运动形成的。设自由电子的定向运动速度为u，导体单位体积内的自由电子数为（自由电子数密度）n，每个电子所带的电量为-e。所以根据电流的定义: （1）粒子的初速v垂直于B:由于洛伦兹力永远垂直于粒 子的速度，它只改变粒子运动的方向，但不改变 其速率v，因此粒子将在平面内作匀速圆周运动。 设粒子的质量为m，根据牛顿第二定律：f=ma， 有: （2）普遍情形:普遍情形下，v与B成任意夹角θ。如图，v∥=vcosθ,v⊥=vsinθ.若只有v⊥分量，粒子将在垂直于B的平面内作匀速圆周运动；若只有v∥分量，磁场对粒子没有作用力，粒子将沿B的方向（或其反方向）作匀速直线运动。当两个分量同时存在时，粒子的轨迹将成为一条螺旋线。其螺距h（粒子每回转一周时前进的距离）为 ，它与v⊥分量无关。 　　　　　　　　　 利用电子（或其它带电粒子）在磁场中偏转的特性，可以测定出它们的电荷与质量之比，即所谓荷质比。 （1）汤姆孙测电子的何质比的方法:  如上图，玻璃管内抽成真空，阳极A与阴极K之间维持数千伏特的电压，靠管内残存气体的离子在阴极引起的二次发射产生电子流。阳极A和第二个金属屏A的中央各有一个小孔，在K、A之间被加速了的电子流，只有很窄一束能够通过这个孔。如果没有玻璃管中部的那些装置，狭窄的电子束依靠惯性前进，直射在玻璃管另一端的荧光屏S的中央，形成一个光点O。 C、D为电容器的两极板，在它们中间可产生一个竖直方向的电场。在圆形区域里，可由管外的电磁铁产生一方向垂直纸面的磁场。适当调节电场与磁场的强度，可使它们作用在电子上的力达到平衡即 eE=evB,或v=E/B。 由E和B的数值可以测出电子流的速度v。再将电场切断，电子束在磁场区内将沿圆弧运动，R=mv/qB，因而电子的何质比为 ，半径R可以直接从仪器上来确定。 （2）磁聚焦法: 如上图，用磁聚焦法测荷质比装置的一种。真空玻璃管中装有热阴极K和有小孔的阳极A，在A、K之间加电压ΔU时，由阳极小孔射出的电子的动能为 ，从而其速率为 。在电容器C上加一不大的横向交变电场，使不同时刻通过这里的电子发生不同程度的偏转。在电容器C和荧光屏S之间加一均匀纵向磁场，如上所述，电子从C出来后将沿螺旋线运动，到 的地方聚焦。适当的调节B的大小，可使电子流的焦点刚好落在荧光屏S上。这时，h就等于C到S间的距离l，于是从上述h与v的表达式中消去v即得 ，上式右端各量都可以测出，由此即可确定e/m。 霍耳效应:通有电流I的金属或半导体板置于磁感强度为B的均匀磁场中，磁场的方向和电流方向垂直。在金属板的两侧M和N之间就显示出微弱的横向电势差。这种现象称为霍耳效应 (Hall effect)。电势差VM－VN 就称为霍耳电势差。 实验表明：霍耳电势差的大小，与电流I及磁感强度的大小B成正比，而与板的厚度d成反比。即: 当载流子受到的洛仑兹力和横向电场力相等时，载流子不 再做侧向运动，在平衡时有:qvB=qE 设板的侧向宽度为b，则:VM-VN=Eb=Bvb.由电流强度I的定义，I=nqvbd,得v=I/nqbd ,得霍尔电势差：VM-VN=BI/nqd. 因此，霍耳系数RH:RH=1/nq, 霍耳系数RH与材料性质有关。 因为半导体的载流子浓度远小于金属电子的浓度且易受温度、杂质的影响，所以霍耳系数是研究半导体的重要方法之一。利用半导体的霍耳效应制成的器件成为霍耳元件。利用霍耳效应还可以测量载流子的类型和数密度，可以测量磁场。 量子霍耳效应: 1980年德国物理学家克立钦(K.Von Kli