双平衡混频器-cd.PDFVIP

伟迪瑞电子 １ 双平衡混频器 混频器是典型的频率变换器件，它在微波通讯、雷达、遥感遥控、电子侦察与对抗、微波测量仪器等 领域应用广泛。一方面，将低频基带信号调制到微波频段，以便于信息和能量的传输；另一方面，将含有 基带信息的微波信号变换成中、低频信号，以便进行信息或信号处理。 从电路形式看，混频器有单管混频器、单平衡混频器、双平衡混频器以及三平衡混频器等。其中，平 衡混频器由于本振和射频之间有良好的隔离，并能抑制本振的调频噪声，对各种混频杂波也有所抑制，应 用最为广泛。 混频器术语定义 正确理解下列术语，对于选用混频器及发挥混频器最佳性能肯定是有指导意义的。 1 变频损耗和噪声系数 变损和噪声系数是混频器的两个重要参数，它们是密切相关的。变损就是变换效率，对一个混频器的 主要要求就是在最小的射频输入功率下，获得最大的中频输出功率，而产生的噪声为最小。 混频器变损等于单边带中频输出功率与射频输入功率之比，用 dB 表示。功率的测试是在规定的本振 电平和50 Ω系统上进行的，当本振电平与规定电平有出入时，变损将会有变化。 通常只给出一个边带时的变损值，如果两个边带上都用上，变损就比单边带时小 3dB 。 混频器的噪声系数一般规定在某个中频上进行测试，测试系统中还包括混频器后面的一个前置中放， 该中放在测试中会贡献噪声能量，混频二极管也要在噪声系数中贡献少量的噪声系数。 噪声系数的 dB 数与混频器的变损 （Lc ）、前置中放噪声因子 （FIF ）以及混频二极管的噪声温度比 （T ） 有如下关系 NF(dB)=Lc(dB)+10lg(FIF+T-1) ( 1) 式中 FIF 为数值比。 高质量的肖特基二极管，T 可低到 0.85，但典型值为 1。 因此 NF(dB)=Lc(dB)+NFIF(dB) (2) 公式（2 ）表示混频器的整机噪声系数等于混频器的变损加上前置中放的噪声系数。 当需要单独估算混频器的噪声系数时（不包括前中的噪声系数），习惯上将混频器的变损加 0.5dB 即 表示混频器的噪声系数。 2 变频压缩 变频压缩是混频器线性应用状态下最大射频输入电平的量度，在正常情况下，射频输入电平远低于本 振激励电平，此时中频输出随射频输入线性地增加，但当射频输入电平增加到某个电平时，混频器开始饱 和，输入输出之间的线性关系开始被破坏。 图 1 1dB 压缩点 变频压缩是用中频输出对射频输入偏离线性某一压缩量来说明的，通常规定为 1dB ，称 1dB 压缩点， 如图 1 所示。混频器工作时输入电平比 1dB 压缩点相应的输入电平越小，混频器的失真产物越少。应使混 频器的输入电平小于 1dB 压缩点相应的输入电平。 1dB 压缩点确定了混频器动态范围的上限值，是很有用的一个参数，1dB 压缩点是本振电平的函数， 1dB 压缩点近似地随本振功率的 dB 数增加而增加。 3 隔离度（泄漏） 隔离度是混频器电路平衡度的一个量度，当电路很平衡时，各端口间的隔离很好，信号相互泄漏是 地址：成都市一环路南一段 1 号鸿禧花园 B2-302 服务电话：02885433268 传真：028 Email:cdvdr@126.com 伟迪瑞电子 ２ 很少的。对很多应用，本振功率泄漏到射频端的指标是重要的，因为它可能从天线再辐射出去。双平衡混 频器采用 180º型混合电路，若两路二极管的反射系数为 ρ 、ρ，则理论上混频器的隔离度为 1 2 隔离度