一种基于GaAs+FET的S波段功率放大和整流双向电路.pdfVIP

第 15 卷 第 2 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．15，No．2 2017 年 4 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Apr．，2017 文章编号：2095-4980(2017)02-0239-04 一种基于 GaAs FET 的 S 波段功率放大和整流双向电路 王洪彬，刘长军 ( 四川大学 电子信息学院，四川 成都 610064) 摘 要 ：设计了一种基于砷化镓场效应管(GaAs FETs) 的S 波段微波功率放大和整流双向电路， 分析了微波功率放大电路与整流电路之间的类似性。利用ADS 对其进行仿真，并进行实验验证。该 电路具有微波功率放大功能，增益和功率附加效率分别为11.9 dB和55% ，输出功率达28.9 dBm 。该 电路同时具有将微波转换为直流的功能。当电路偏置在C 类状态下，微波输入功率为30 dBm ，且直 流负载为55 Ω时，获得了75.6% 的整流效率。电路正向放大反向整流的特性可望应用到双向微波无 线能量传输系统中。 关键词 ：微波功率放大器；整流器；双向性 中图分类号 ：TN455 文献标志码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201702.0239 An S-band microwave amplifier and rectifier bi-directional circuit based on GaAs FET WANG Hongbin，LIU Changjun (School of Electronics and Information Engineering，Sichuan University，Chengdu Sichuan 610064，China) Abstract： An S-band GaAs Field Effect Tube(FET) microwave bi-directional circuit is designed as a power amplifier and a rectifier. The similarity between a power amplifier and a rectifier is discussed. The circuit is simulated by ADS and measured. In the amplifying mode, the circuit receives a high DC-MWPAE(Power Added Efficiency) as 55% with an output power of 28.9 dBm and a gain of 11.9 dB. The circuit is able to work in rectifying mode as well. It is b iased in the class-C mode and shows an efficiency of 75.6% as the microwave input power is 30 dBm with a DC load of 55 Ω. The characteristics that the circuit can be an amplifier forward and a rectifier reverse would