混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB 超导薄膜技术.PDF

: ( ) 周章渝 等 混合物理化学气相法 HPCVD制备 M B 超导薄膜技术 g2 893 ( ) ∗ 混合物理化学气相法 HPCVD 制备M B 超导薄膜技术 g2 , , , , , 12 12 12 12 12 , , , , 周章渝 杨发顺 王 松 杨 健 傅兴华 　 　 ( , ; , ) 1.贵州大学 理学院 贵州 贵阳 550025 2.贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵州 贵阳 550025 : ( ) , 。 摘 要 介绍了采用混合物理化学气相法 速度快 设备简单 法得到的具有良好晶向 　 　 HPCVD HPCVD ( ) , , 工艺以乙硼烷 BH 为硼源在热蒸发镀膜机内以不 的准单晶薄膜 超导性能最好 T 成功实现了41.8K 2 6 C 同的沉积温度在( )取向的 单晶基底上制 和零场 下高达 7/ 2 的临界电流密度, 0001 AlO 4.2K 3.5×10 cm 2 3 , ( )、 备了M B 超导薄膜 采用扫描电子显微镜 SEM X 显示出HPCVD工艺是一种制备高质量 M B 薄膜行 g2 g2 射线衍射( )和标准四线法电阻测量分析了沉积温 。 XRD 之有效的技术 但所报道 HPCVD工艺制备装置多为 、 、 度对生成的M B 薄膜的表面形貌 晶体结构 超导转 自制的石英管外固定一个高频感应加热线圈的简易设 g2 。 , , 变温度的影响 结果表明 随着基底温度的升高 , 备 一方面对于在工业上使用有着一套严格措施的易 , , 相结晶程度提高 轴取向程度增强 薄膜整体 , M B c 燃剧毒 BH 气体来讲必然会是不小的挑战 这将对 g2