半导体及其本征特征.ppt

重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合  载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。 半导体器件物理基础 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 作业 描述二极管的工作机理 讨论PMOS晶体管的工作原理 4. PN结的反向特性 N区 P区 空穴： 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 N P N区 P区 电子： 扩散 漂移 空穴: P区 N区 扩散 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 5. PN结的特性 单向导电性： 正向偏置 反向偏置 正向导通，多数载流子扩散电流 反向截止，少数载流子漂移电流 正向导通电压Vbi~0.7V(Si) 反向击穿电压Vrb 6. PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳/隧穿击穿 7. PN结电容 § 2.4 双极晶体管 1. 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 双极晶体管的两种形式：NPN和PNP NPN c b e c b e PNP 双极晶体管的结构和版图示意图 1.3.1　晶体管的结构及类型 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 图1.3.2a　三极管的结构 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) e b b e c P N P e 发射极，b基极，c 集电极。 N c N P 二氧化硅 发射区 集电区 基区 基区 发射区 集电区 图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 1.3.2?　三极管结构示意图和符号　(b)PNP 型 1.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 实验 + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB + - uCE iE iB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 iE 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 表1-1 电流单位：mA e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 2. 扩散到基区的自由电子与　空穴的复合运动形成基极　电流　 　电子到达基区，少数与空穴复　合形成基极电流 Ibn，复合掉的　空穴由 VBB 补充。 多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。 晶体管内部载流子的运动 b e c I E I B Rc Rb 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic 　 集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn。 其能量来自外接电源 VCC 。 I C 另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。 ICBO 晶体管内部载流子的运动 b e c e Rc Rb 二、晶体管的电流分配关系 IEp ICBO IE IC IB IEn IBn ICn IC = ICn + ICBO IE=ICn + IBn + IEp = IEn+ IEp IE =IC+IB 图1.3.4晶体管内部载流子的运动与外部