微原课件第三篇.ppt

第3章 存储器 3.1 存储器的概念、分类和要素 3.2 随机读写存储器（RAM） 3.3 只读存储器（ROM） 3.4 CPU与存储器的连接 性能指标 存储器的职能就相当于计算机中各部分的“信息交换中心”和“数据仓库”。因此存储器的“速度”和“容量”便成为计算机系统性能的两项重要指标，也是推动存储器不断发展的两个主要因素。 1、存储容量 存储容量=单元数×数据位数 即字数×字长 通常以KB（210B）、MB （220B） 、GB （230B ）、TB （240B）为单位。 2、存取时间、存取周期 存取时间：CPU访问一次存储器所需的时间 存取周期：连续两次访问存储器所需最小间隔时间 3、可靠性 4、功耗 5、价格 存储器的存储容量表示与计算方法 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 = 字数×字长 例如 6264 : 8K ×8 6116: 2K ×8 2164 : 64K ×1 3.2 随机读写存储器（RAM） 3.2.1 静态RAM 3.2.2 动态RAM 3.2.1 静态RAM 1．基本存储电路单元（六管静态存储电路） 2．SRAM芯片实例 典型的SRAM芯片有6116、6264、62256等。 3.2.2 动态RAM  1．动态RAM的存储单元（单管动态存储电路） 典型DRAM芯片2116 2116A：16K×1 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址线； 地址线的数量仅 为同等容量SRAM 芯片的一半。 主要引线 RAS：行地址选通信号，用于锁存行地址； CAS：列地址选通信号。 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在RAS和CAS有效期间被锁存在地址锁存器中。 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 3.3 只读存储器（ROM） 3.3.1 掩膜ROM 3.3.2 可编程只读ROM 3.3.3 可擦除可编程的ROM（EPROM） 3.3.4 电可擦可编程ROM(EEROM) 3.3.1 掩膜ROM 1．MOS ROM电路 3.3.2可编程只读ROM 允许一次编程，此后不可更改 3.3.3 可擦除可编程的ROM（EPROM） 1．基本存储电路 2．EPROM实例 3.3.4 电可擦可编程ROM(EEROM) 1．Intel 2817的引脚 3.4.1 CPU与存储器的连接时应注意的问题 1．CPU总线的带负载能力 2．存储器的组织、地址分配与片选问题 3．CPU的时序与存储器的存取速度之间的配合 3.4.2 存储器片选信号的产生方式和译码电路 1．片选信号的产生方式 （1）线选方式（线选法） （2）局部译码选择方式（部分译码法） （3）全局译码选择方式（全译码法） 2．存储地址译码电路 74LS138经常用来作为存储器的译码电路。 3.4.3 CPU（8086系列）与存储器的连接 RAM与CPU的连接方法： （1）计算出所需的芯片数。 （2）构成数据总线所需的位数和系统所需的容量。 （3）计算每片芯片的地址范围。 （4）控制线，数据线，地址线对应相连。 位扩展 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 位扩展例 用8片2164A芯片构成64KB存储器。 2164A: 64K × 1，需8片构成64K × 8（64KB） 位扩展方法（总结）： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 字扩展 地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。 字扩展例 用两片8K×8位的SRAM芯片6264构成容量为16KB的存储器,要求地址从80000H开始。 计算需要几片芯片，每片的地址范围，做出连接图。 字位扩展 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进行字扩展以满足容量要求。 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： （M / L） ×（N / K） 字位扩展例 用16K×1位的芯片组成64KB的存储器