AIGaN／GaN HEMT功率放大器设计.PDF

北京琅拓科电子设备有限公司 射频室技术文档 RF0907004 功率放大器芯片 功率放大器模块 功率放大器整机 功率放大器测试组件 地址:北京市海淀区中关村南三街8号 (中国科学院基础科学园区) 电话：010 企业邮箱：service@ 网址： 发 AIGaN／GaNHEMT功率放大器设计 林锡贵 ，郝跃 ，冯倩 ，张进城 (西安 电子科技大学微 电子研究所 ，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ， 西安 710071) 摘要 ：在小信号 参数不适于微波功率放大器的设计而大信号 参数不易获得的情况下 ，利用ADS软 件 ，采用负载牵引法和输入端共轭 匹配，成功的设计 出A1GaN／GaN HEMT微波功率放大器。为了解决 晶体管端 口出现负阻的问题 ，设计了输入输 出端并联 电阻和反馈网络两种方法，最后得到理想的结果为： 工作绝对稳定，带宽3．6GHz～8．0GHz，最高增益 11．04dB，最大输出功率 33dBm，最大PAE达到29．2％， 电压驻波 比较 小。 关键词 ：高电子迁移 率场 效应 晶体管 ；功 率放大器 ；ADS负载牵 引：共轭 匹配 中图分类号 ：TN386；TN722．75 文献标识码： A 文章编号：1003．353X(2006)01．0052．04 Design ofAIGaN ／GaN HEM T PowerAmplifier LIN Xi·gui，HAOYue，FENG Qian，ZhangJin·cheng fKeyLabofMinistryofEducationforWideGap P fcDd“cfDrMaterialsandDevices，Instituteof Microelectronics，Xidian University．Xi an 710071，China、 Abstract：AnAIGaN ／GaN HEMTmicrowavepoweramplifierwasdesignedsuccessfullybyload· pullmethodandCOnjugatematchininputportUSingADS，whensmall-signalSp·arameterscan’t beusedfordesignofmicrowavepoweramplifierandlarge··signalS-·parametersweredifficultto achieve．Forthestabilityofthecircuit，acomparisonbetweenshuntresistorsmethodand~edback methodwasshown．Perfectresultsof11．04dBgain，33dBm outputpowerand29．2％PAEat3．6GHz 8．0GHzbandwidthwereachieved． Keywords：HEMT；poweramplifier；ADSload·pull；COnjugatematch (高 电子迁移率晶体管)在微波波段的大功率、高 1引言 频率、低噪声性能方面超过GaAs基 HEMT和 InP 微波功率放大器是微波通信系统、广播电视发 基 HEMT。据报道…，AIGaN／GaNHEMT的截止 射 、雷达、导航 系统 的核心部件之一。在所有微 频率 和最高振荡频率 。分别可达到 121GHz和 波发射系统中，都需要功率放大器将信号放大到足 l62GHz。在8GHz下，连