Cree C2M1000170D 碳化硅功率MOSFET - Wolfspeed.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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Cree C2M1000170D 碳化硅功率MOSFET - Wolfspeed.PDF

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Cree C2M1000170D 碳化硅功率MOSFET - Wolfspeed

V 1700 V DS I @ 25ºC 5.0 A D R 1.0 Ω C2M1000170D DS(on) 碳化硅功率MOSFET C2MTM MOSFET技术 N沟道增强模式特点封装 • 具有高阻斷電壓與低導通電阻 • 低导通电阻R 下的高阻断电压 DS(on) • 便于并联，易于驱动 • 超低漏栅电容 • 无卤素，符合RoHS规范优势 TO-247-3 • 更高的系统效率 • 更高的系统开关频率 • 更低的冷卻需求 • 增强的系统可靠性应用 • 辅助电源 • 开关式电源 • 高压电容性负载部件号封装 C2M1000170D TO-247-3 最大额定值（除非另行指定，否则T = 25ºC） C 符号参数值单位测试条件注 V 漏源电压 1700 V V = 0 V，I = 100 μA DSmax GS D V 栅源电压 -10/+25