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DG6N70 产品概述General Description 主要参数MAIN
江苏东晨电子科技有限公司
JiangSu DongchenElectronics Technology Co.,Ltd
；
DG6N70
N沟道增强型场效应晶体管 版本号
N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 201603-A
产品概述 General Description
DG6N70是N沟道增强型场效应晶体管，应用了东晨电子的相关专利技术，采用自对准平面工艺及先进的终
端耐压技术，降低了导通损耗，提高了开关特性，增强了雪崩耐量。该产品能应用于多种功率开关电
路，使得电源能效更高，系统更加小型化。
DG6N70 isanN-channelenhancementmode MOSFET,which is produced usingDongchen Electronics’s proprietary.
Theself-alignedplanarprocess andimproved terminaltechnologyreduce theconduction loss,improve switching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistorcan beused invarious power switchingcircuitfor
higherefficiency andsystemminiaturization.
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 符号 Symbol
VDSS 700 V
ID 6 A
RDS(ON) 2.1 Ω
Crss 10 pF
封装 Package
86-510 1 /10
江苏东晨电子科技有限公司
JiangSu DongchenElectronics Technology Co.,Ltd
绝对最大额定值 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25℃)
参数名称 符号 数值 单位
Parameter Symbol Value Unit
漏极-源极直流电压
VDSS 700 V
Drain-SourceVoltage
Tc=25℃ 6*
连续漏极电流
ID A
ContinuesDrainCurrent
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