GaAs单晶的制备工艺 - 硬件和射频工程师.PDF

GaAs单晶的制备工艺  水平布里奇曼法HB  液态密封法LEC、LEP HB法制备GaAs的工艺流程 ① 装料：As量要比化学计算的量要稍多一些 ② 加热除去氧化膜 Ga：高真空下，700℃，2h As ：高真空下，280℃，2h ③用液氮或干冰将Ga凝固，撞破石英隔窗，将 反应管放入炉中 ④升温：低温炉617 ℃，高温炉1250 ℃ ⑤移动熔区合成好熔体 ⑥生长单晶， ⑦ 降温：先将高温区降至610 ℃，再同时降温至室温 HB法优缺点  优点：设备简单，生长系统中温度梯度小， 可生长低位错密度单晶  缺点：①粘舟，产生缺陷；生长截面D形， 加工成圆片材料损失 ②难以生长非掺杂半绝缘GaAs单晶 ③难以生长大直径Ф75mm 液态密封法LEC、LEP  是对CZ技术的一项重大改进  基本原理：用一种惰性液体覆盖着被拉制材 料的熔体，生长室内充入惰性气体，使其压 力大于熔体的离解压力，以抑制熔体中挥发 性组元的蒸发损失，这样就可按通常CZ技术 拉制单晶 液态密封法中所用覆盖剂应满足条件 1. 密度小于拉制材料 2. 对熔体和坩埚在化学上必须是惰性的，而且 熔体中溶解度小 3. 熔点低于被拉制材料熔点，且蒸汽压低，易 去掉 4. 有较高纯度，熔融状态下透明 B O 满足上述要求 2 3 LEC法生长GaSb （熔点低）， 用1:1 KCl+NaCl作覆盖剂 LEC法工艺流程 1. 装料：一石英杯装Ga，一石英安瓶装As ，石 英坩埚中装B2O3 2. 抽真空下，B O 加热脱水（900～1000℃）， 2 3 Ga杯，As瓶烘烤除去氧化膜 3. 降温至600～700 ℃，将Ga倒入坩埚内沉没在 B O 下，充Ar气 2 3 4. As安瓶下端的毛细管尖插入Ga液中，升温至 合成温度，As受热气化溶入Ga 内生长GaAs 5. 拔出安瓶管，并按CZ拉晶步骤拉制GaAs单晶 LEC法的几个问题  B O 是热的不良导体。LEC单晶生长中，刚 2 3 生长出的晶体是处于覆盖层内，它对这部分 晶体有一“后加热器”作用，B O 厚度的选择 2 3 是重要的工艺参数之一。  为防止炉内高温烘烤造成单晶表面的分解， 炉内纵向温度梯度要加大，晶体因热应力过 大造成位错密度大。  B O 易吸水，高温下对石英坩埚有腐蚀，造 2 3 成一定的Si沾污  Ф100～150mm LEC技术的一项改进—蒸气控制直拉 技术（vapour control CZ,VCZ ）  改进之处：把坩埚-晶体置于一准密封的内生长 室内，内生长室中放置少量As ，使内生长室内 充满As气氛。这样即使在相当低的温度梯度下 生长，晶体表面也不至于离解。  优点：位错密度低（低一个数量级以上） 缺点：由于该技术要放置内生长室（且要求较 好密封性）使得生长系统复杂化，对生长过程 不易观察，重复性差，尚未用于批量生产。 6－3砷化镓单晶中杂质的控制  6－3－1砷化镓单晶中杂质的性质 Ⅱ族元素Be，Mg，Zn，Cd，Hg，它们一般是浅受主，P 型掺杂剂；但是它们也会与晶格缺陷结合生成复合体 而呈现深受主能级。 Ⅵ族元素S,Se,Te在砷化镓中均为浅施主杂质，N型掺杂 剂。 氧元素在GaAs中的行为比较复杂。 在低温溶液中生长的GaAs晶体中是浅施主 在高温熔体中生长的GaAs晶体中是深施主 6－3－1砷化镓单晶中杂质的性质 Ⅳ族元素 （Si,Ge,Sn）等在III-V族化合物半导体中呈 现两性掺杂特性。 Ⅳ族原子在III族原子晶格点上时 是施主，在V族原子晶格点上是