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MBE 自组织生长多层竖直自对准InAs 量子点结构的研究 - 发光学报.PDF

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MBE 自组织生长多层竖直自对准InAs 量子点结构的研究 - 发光学报

183 Vol . 18No. 3 19979 CHINESE J OU RNAL OF LU MINESC ENCE S pt . , 1997 MBE 自组织生长多层竖直自对准 InAs 量子点结构的研究* 朱东海 范缇文 梁基本 徐 波 朱战萍 龚 谦 江 潮 李含轩 周 伟 王占国 ( , , 100083) MBE ( 00 1) GaA s InA s . , . , . , . . , , 1 引  言 , S-K , [ 1, 2] . . , , . , 3D , . ( ) , , , . ( 001) GaAs , M BE InAs . . 2 实验方法 Rib r 32p M BE . ( 001) GaAs . , 580 . 600 0. 5 m GaAs , InAs . InAs 0. 2 m/ h, 505 . 5. InAs 3InAs . InAs 0. 1 m GaAs . 5InAs , InAs 14GaAs . * 1997513 3 : MBE InAs 229 3 结果与讨论 , InAs GaAs , , , InAs GaAs . . InAs GaAs ( 7. 2%) , . , , 3D . , 3D . , . 3D . ( T EM) . 15 InAs TEM . , . , , . 27 nm. , , . . [ 3] , 3D , 3D . InAs GaAs , GaAs , InAs 3D GaAs . , 3D GaAs GaAs , GaAs InAs . GaAs In ( GaAs 3D ) ( GaAs 3D ) , , InAs 3D , . 2 ( PL) , InAs , . 1. 254 V 1. 228 V, 26 m V. , 73 m V, 67 m V , 8. 2%. . . 15InAs T EM , Fig . 1T EM im ag show ing columns of 5 lay rs , v rtically align d InA s quant um dots. . , , . GaAs [ 4] [ 5] . , T rsoff J . , , . 230 18 . 35. , . , , 35 Fig . 3PL FWHM t mp ratur d p nd nc of 2 5 lay rs quant

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