LTPSTFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３１ 　 ４ 　　 Vol．３１　No．４ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１６ ４ 　 　 　 A r．２０１６ p 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１６０４Ｇ０３６３Ｇ０７ LTPSTFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化 １ １∗ １ ２ ２ ２ , , , , , 陈丽雯 叶 芸 郭太良 彭 涛 周秀峰 文 亮 　 　 　 ( , ; １．福州大学 物理与信息工程学院 福建 福州 ３５０００１ , ) ２．厦门天马微电子有限公司 福建 厦门３６１１０１ : , 摘要 为了适应 LTPSTFTLCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势 降低 LTPSTFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率 , , . , 损失 提高产品品质 本文研究了LTPSTFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化 实验以干法刻蚀为主刻蚀 湿法刻蚀为 , , 辅刻蚀的方式 既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力 又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特 , , , , 性 改善了层间绝缘层刻蚀形貌 减少干法刻蚀对器件有源层的损伤 避免有源层被氧化 防止刻蚀副产物污染开孔表 . , 、 , 面 实验结果表明 干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻 残留的问题 使得层间绝缘层过孔不良良率损失减 , , . 少 ７３％以上 且 TFT源漏电极接触电阻减小约 ９０％ 器件开态电流提升约 １５％ 干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工 , . 艺 提升产品性能的新方法 : ; ; ; ; ; 关 键 词 干法刻蚀 湿法刻蚀 层间绝缘层过孔 接触电阻 器件性能 　 　 LTPSTFTLCD 中图分类号: 文献标识码: : / TN４３　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０３６３ Otimizationofviaetchin rocessofLTPSTFTinterlaerdielectric p