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高性能5Mu;M640times;480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列
维普资讯
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高性能5#m640x480蓝宝石衬底 7/
@ 碲镉汞焦平面阵列 翟
文 摘 : 已 研 制 出 一 种 高 性 能 5ktm 640×480蓝 宝 石 衬 底 的
HgCdTe,/CdTe/A1,o 红外焦平面阵列(FPA),在低于 I2OK温度下,它有仝
电视兼容分辨率和优 良的灵敏度 。在 95K 工作温度和 1O 光子数 cm—zS- 的背
景通量下,平均焦平面阵列 D 受背号限制,其值约为 lx10 cmHz” W~,典
型的平均量子效率为60%~7O%。制造这种炙面阵 、高灵敏度器件的关键工
艺,是在有稳定的CdTe缓冲层的蓝宝石村底上,外延生长 HgCdTe材料 。在
低于或等于 120K 的工作温度和3,4~42ktm 的波段 内,相机的平均噪声等效温
差 NEAT为 0.013K;该值 比 目前可 实用的 PtSi焦平面阵列相机的高一个教量
级,而PtSi焦平阵列相机要求制冷到低于或等于77K,才能保持其性能。
1引 言 辞.铸,末
以前,制造具有全 电视制式的焦平面阵列只限于那些和单元制造工艺濂容的以硅为村
底的材料 ,如:硅化铂 。然而 ,PtSi焦平面阵列存在灵敏度和均匀性限制的问题 ,使
其应用受到限制 虽然巾波红外(MwlR;3~5m)HgCdTe即使在一般制冷剂和机械或
热电制冷器的制冷温度下工作,也可提供较高的灵敏度和可修正的均匀性 ,但是和硅读出
电路的力学失配总会引起可靠性下降,或在某些情况下,突然失效 然而其工作温度范围
宽的显著优点,有助于减少制冷器的复杂性 ,降低整机成本和减轻工作负担 。在此以前,
我们开发 丁混合式 256×256中波红外 HgCdTe焦平面阵列 ,采用可替代衬底制造
HgCdTe探测器阵列 “ 以蓝宝石为衬底的工艺叫作 PAC-I,即可生产的替代 CdTe
衬底 的外延工艺,因为该工艺明显提高了高灵敏度混合器件 的可靠性 ,在低于或等于
120K 的 £作 温噬 F,平均噪声等效温差始终低 于 0O2℃,象元 的有效率大于或等 于
98.5%
.
PACE—IHgCdTe已作为一种用来开发 MW1R (3~5m)波段 ,大面阵,高性能
焦平面阵列的主要的本征探测制造工艺而 出现 。图 l将该工艺和 HgCdTe/CdTe,lnSb
和 PtSi红外工艺的发展情况作丁比较 。因为早期集 中开发基本探测器材料而使象
元密度 的研究落后 了 但是 ,为天文学 和一般成象 而开发的 PACE—I256×
256FPA,在该象元规模上是唯一实用的本征 FPA,两年多后 ,混合 InSb焦平面阵列才
实用 已有多个 PACE—I256×256混台焦平面阵列在天文学上投入现场应用,用于
先进热象仪的通用256×256和320×240焦平面阵列正在生产之中
本文报道用混合式 PACE—IHgCdTeFPA工艺扩展到制作 640×480规格的FPA,
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·50 · 红外与激光技术 l994年第6期
支持 _『许多有严格要求的应用,要求高灵敏度 高分辨率及台理工作温度的一些关键性应
用。这种器件很可能代替用于高性能红外相机上的多位扫描阵列,因为 目前被认为代替通
用模式光导 HgCdTe扫描阵列的第二代 (光伏)扫描FPA是复杂的多片混合器件,它成
本高 不易批量生产 ,还需要光机扫描器
】991年 6月,我们演示了第一个全功能640×480混合式 FPA。至今 ,在所制造的
640×480FPA中,没有发现混合脱层问题。
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