管理高性能5ΜM640×480蓝宝石衬底碲镉汞焦平面阵列.pdf

维普资讯 一 6( 994 615II 高性能5#m640x480蓝宝石衬底 7／ @ 碲镉汞焦平面阵列 翟 文 摘 ： 已 研 制 出 一 种 高 性 能 5ktm 640×480蓝 宝 石 衬 底 的 HgCdTe，／CdTe／A1，o 红外焦平面阵列(FPA)，在低于 I2OK温度下，它有仝 电视兼容分辨率和优 良的灵敏度 。在 95K 工作温度和 1O 光子数 cm—zS- 的背 景通量下，平均焦平面阵列 D 受背号限制，其值约为 lx10 cmHz” W～，典 型的平均量子效率为60％～7O％。制造这种炙面阵 、高灵敏度器件的关键工 艺，是在有稳定的CdTe缓冲层的蓝宝石村底上，外延生长 HgCdTe材料 。在 低于或等于 120K 的工作温度和3,4～42ktm 的波段 内，相机的平均噪声等效温 差 NEAT为 0．013K；该值 比 目前可 实用的 PtSi焦平面阵列相机的高一个教量 级，而PtSi焦平阵列相机要求制冷到低于或等于77K，才能保持其性能。 1引 言 辞．铸，末 以前，制造具有全 电视制式的焦平面阵列只限于那些和单元制造工艺濂容的以硅为村 底的材料 ，如：硅化铂 。然而 ，PtSi焦平面阵列存在灵敏度和均匀性限制的问题 ，使 其应用受到限制 虽然巾波红外(MwlR；3～5m)HgCdTe即使在一般制冷剂和机械或 热电制冷器的制冷温度下工作，也可提供较高的灵敏度和可修正的均匀性 ，但是和硅读出 电路的力学失配总会引起可靠性下降，或在某些情况下，突然失效 然而其工作温度范围 宽的显著优点，有助于减少制冷器的复杂性 ，降低整机成本和减轻工作负担 。在此以前， 我们开发 丁混合式 256×256中波红外 HgCdTe焦平面阵列 ，采用可替代衬底制造 HgCdTe探测器阵列 “ 以蓝宝石为衬底的工艺叫作 PAC-I，即可生产的替代 CdTe 衬底 的外延工艺，因为该工艺明显提高了高灵敏度混合器件 的可靠性 ，在低于或等于 120K 的 ￡作 温噬 F，平均噪声等效温差始终低 于 0O2℃，象元 的有效率大于或等 于 98．5％ ． PACE—IHgCdTe已作为一种用来开发 MW1R (3～5m)波段 ，大面阵，高性能 焦平面阵列的主要的本征探测制造工艺而 出现 。图 l将该工艺和 HgCdTe／CdTe，lnSb 和 PtSi红外工艺的发展情况作丁比较 。因为早期集 中开发基本探测器材料而使象 元密度 的研究落后 了 但是 ，为天文学 和一般成象 而开发的 PACE—I256× 256FPA，在该象元规模上是唯一实用的本征 FPA，两年多后 ，混合 InSb焦平面阵列才 实用 已有多个 PACE—I256×256混台焦平面阵列在天文学上投入现场应用，用于 先进热象仪的通用256×256和320×240焦平面阵列正在生产之中 本文报道用混合式 PACE—IHgCdTeFPA工艺扩展到制作 640×480规格的FPA， 维普资讯 ·50 · 红外与激光技术 l994年第6期 支持 _『许多有严格要求的应用，要求高灵敏度 高分辨率及台理工作温度的一些关键性应 用。这种器件很可能代替用于高性能红外相机上的多位扫描阵列，因为 目前被认为代替通 用模式光导 HgCdTe扫描阵列的第二代 (光伏)扫描FPA是复杂的多片混合器件，它成 本高 不易批量生产 ，还需要光机扫描器 】991年 6月，我们演示了第一个全功能640×480混合式 FPA。至今 ，在所制造的 640×480FPA中，没有发现混合脱层问题。