ZnO／ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究 - 发光学报.PDF

第３３卷　第４期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３３ Ｎｏ４ ２０１２年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ．，２０１２ 文章编号：１０００７０３２（２０１２）０４０４４９０４ ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ异质结场效应管的制备与性能研究  朱振邦，顾书林 ，朱顺明，叶建东，黄时敏，顾　然，郑有? （南京大学 电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室，江苏 南京　２１００９３） 摘要：利用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）技术，在ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ异质结构上制备ＳｉＯ作为栅绝缘层，采 ２ 用光刻与腐蚀工艺制备ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。 发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下，栅绝缘层产生钝化，从而能够改善器件的性能。 关　键　词：ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ；异质结场效应管；迁移率 中图分类号：ＴＮ３８６　　　文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０４４９ ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ ＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ＺＨＵＺｈｅｎｂａｎｇ，ＧＵＳｈｕｌｉｎ ，ＺＨＵＳｈｕｎｍｉｎｇ，ＹＥＪｉａｎｄｏｎｇ， ＨＵＡＮＧＳｈｉｍｉｎ，ＧＵＲａｎ，ＺＨＥＮＧＹｏｕｄｏｕ （ＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９３，Ｃｈｉｎａ） ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒ，Ｅｍａｉｌ：ｓｌｇｕ＠ｎｊｕ．ｅｄｕ．ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆａＺｎＯ／ＺｎＭｇＯｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＨＦＥＴ）ｗｅｒｅ ｒｅｐｏｒｔｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．ＴｈｅＨＦＥＴｗａｓｇｒｏｗｎｏｎ ｐｌａｎｅｓａｐｐｈｉｒｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｂｙｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃｖａｐｏｒ α ｐｈａｓｅｅｐｉｔａｘｙ（ＭＯＶＰＥ）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ａｎｄｗａｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙａｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｔｅｃｈ ｎｉｑｕｅｃｏｍｂｉｎｅｄｗｉｔｈｗｅｔｅｔｃｈｉｎｇ．ＴｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｄｔｈａｔｔｈｅＨＦＥＴｗａｓａｎｎｃｈａｎｎｅｌ －１ ２ －１ －１ ｄｅｐｌｅｔｉｏｎｔｙｐｅｗｉｔｈａｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｏｆ１８０ Ｓ·ｍｍ ａｎｄｍｏｂｉｌｉｔｙｏｆ１８２ｃｍ ·Ｖ ·ｓ ａｔ μ ｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．ＴｈｅｐｒｏｐｅｒｔｙｗａｓｌｉｍｉｔｅｄｂｙｌｅａｋａｇｅｃｕｒｒｅｎｔｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅＳｉＯ ｇａｔｅｉｎｓｕｌａｔｏｒ．Ａｔ