§28场效应管放大电路.PPT

 §2.8 场效应管放大电路 场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的共射、共基和共集三种组态相对应，场效应管也有共源、共栅和共漏三种组态。 一、场效应管的偏置电路 与晶体管放大器类似，静态工作点的设置对放大器的性能至关重要。 在静态时，场效应管栅极电流为零，因此栅极电压为零；而漏极电流不为零，必然在源极电阻上产生压降，使栅源电压为负，获得合适的工作点。 2、混合偏压电路 对于增强型MOSFET，由于uGS=0时，iD=0，故一定要采用分压式偏置或混合式偏置方式，如图所示： 二、场效应管静态工作点的确定 1、图解法  在场效应管的转移特性曲线上做出栅源回路直流负载线的方程，其交点即为工作点。 对于（a)图，Q1为JFET的工作点，Q2为耗尽型MOSFET的工作点； 对于（b)图，Q1为JFET的工作点，Q2为耗尽型MOSFET的工作点，Q3为增强型MOSFET的工作点。 2、解析法 ⑴耗尽型场效应管的电流方程为： ⑵增强型场效应管的电流方程为： 三、场效应管的动态分析 1、场效应管的低频小信号等效模型 2、共源放大电路的分析 3、共漏放大电路的分析 4、共栅放大电路的分析 1、场效应管的低频小信号等效模型 与晶体管模型的导出相类似，iD是uGS 和uDS的函数： iD=f(uGS， uDS） 研究动态信号时用全微分表示： 定义： 可以从场效应管的转移特性和输出特性曲线上求出gm与rds。 ⑴由转移特性曲线可知，gm是uDS=UDSQ那条曲线上Q点处的斜率。由于gm是输出回路电流与输入回路电压之比，所以称为跨导。 ⑵由输出特性曲线可知， rds是uGS=UGSQ这条曲线上Q点处斜率的倒数，描述曲线上翘的程度。 由于rds的值很大，可以忽略，得到简化的等效模型： 对增强型MOS管，可用电流方程求出gm的表达式： 在小信号作用时，可用IDQ代替iD，得出： 对耗尽型MOS管，同样可用电流方程作类似的推导求出gm的表达式，电流方程和推导如下： 在小信号作用时，可用IDQ代替iD，得出： 2、共源放大电路的分析 ⑴ 电路结构 ⑵交流分析 先画出交流通路，再画出交流等效电路： 再根据等效电路计算交流性能： ① 电压放大倍数 3、共漏放大电路的分析 ⑴电路结构 一个共漏放大器的电路图如下： ⑵交流分析 先画出交流通路，再画出交流等效电路： 再根据等效电路计算交流性能： ① 电压放大倍数： ② 输入电阻： 4、共栅放大电路的分析 ⑴电路结构 一个共栅放大器的电路图如下： ⑵交流性能分析 先画出交流通路，再画出交流等效电路： 再根据等效电路计算交流性能： 四、场效应管三种组态放大性能的比较 五、应用举例 例1、电路如图。已知UGS(off)=-4V，IDSS=1mA，VDD=16V，RG1=160K?， RG4=40K?， RG=1M?， RD=10K?， RS=8K?， RL=1M?，试计算：1、静态工作点Q；2、输入电阻Ri和输出电阻RO；3、电压放大倍数 。 解： 1、计算静态工作点Q 2、计算输入电阻Ri和输出电阻RO 3、计算电压放大倍数 。 例2、电路如图。已知场效应管的UGS(off)=-4V， IDSS=2mA， VDD=15V， RG=1M?， RL=1M?， RS=8K?，试计算： 1、静态工作点Q； 2、输入电阻Ri和输出电阻RO； 3、电压放大倍数 。 解： 1、计算静态工作点Q 2、计算输入电阻Ri和输出电阻RO 作业 P133 2.20 P134 2.22 * 模拟电子技术基础 课件制作： 郑恒秋 一、场效应管的偏置电路 二、场效应管静态工作点的确定 三、场效应管的动态分析 四、场效应管三种组态放大性能的比较 五、应用举例 1、自偏压电路 在场效应管放大器中，由于结型场效应管与耗尽型MOS场效应管的uGS=0时，iD?0，故可以采用自偏压方式，如图所示： 注意：该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需 要负栅源电压的电路。 注意：该电路产生的栅源电压可正可负，所以适 用于所有的场效应管电路。 把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ： 把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ： 把下式代入上式，解关于iD的二次方程，有两个根