RF手册第14版.PDF

RF手册第14版 用于高性能RF产品的应用和设计手册2010年5月 恩智浦半导体RF手册第14版 3 高性能RF适用于最高要求的应用 恩智浦RF手册令设计更简易 恩智浦RF手册– 当今RF设计市场上最重要的参考工具之一–展示了我们从小信号到大功率 信号环境高速数据转换器的全系列RF产品。 新动向 这一RF手册提供了新应用,例如：点对点通讯、雷达、VSAT, MoCA ( 同轴电缆多媒体联盟)、NIM (电视接收的网络接口模块)、数码 卫星机顶盒，无线 (等离子) 照明、医疗影像、微波炉以及移动平台。并且我们详细描述了我们在主要技术SiGeC QUBiC和LDMOS 上的新产品开发。 新产品系列已经被列入我们丰富的产品系列中，例如：四针脚二极管、第6和第7代SiGe：C宽带晶体管、可变增益放大器、用于无线 设施的LNA、用于STB的LNA和MOSFET和一系列高速数据转换器。当然还包括了最新的和性能改善的产品：GPS LNA、中等功 率放大器、LO发生器和CATV模块。 我们还对在基站上应用的产品得到了扩展，例如：一系列行业领先的多尔蒂 (Doherty) 放大器设计，全系列的中等功率、可变增益 和低噪声放大器产品，以及我们的JESD204A-兼容及高速的DAC和ADC 。 最后，我们将交叉参考列表增加了40%，提高到1200多条。 RF的牢固基石 每年为市场提供了数十亿的RF产品，恩智浦是高性能RF领域真正的业界领袖。我们的RF小信号产品已广泛的使用在卫星、移动基 站、移动设备、汽车、电视调谐器以及CATV。我们是移动基站、广播/ISM以及雷达应用的功率RF产品的引领者。通过JESD204A-- 兼容的高速转换器实现高速数据处理应用，因此，我们正在向更紧凑、更高性能系统的飞跃。 我们的IP远远超出了我们现有包装的产品，是具有专利保护的高性能工艺。从用于功率放大器的大功率LDMOS，用于我们高速数 模转换器的CMOS工艺，到用于RF小信号晶体管、MMIC和IC的最先进的SiGe：C (QUBiC4)。我们的工厂工艺和技术组合令我们 独领风骚。 此外，我们每天生产6500万个产品单元，通过在荷兰和新加坡的我们自己的8英寸集成电路工厂，以及在泰国、台湾和中国大陆的 组装基地来全程控制生产质量和成本。同时，我们的工艺均通过AEC100认证，始终以最好的高质量的产品提供给客户及其应用。 4 恩智浦半导体RF手册第14版 恩智浦在RF领域的首创 1963 – 第一个在0.75英寸晶片上的晶体管和二极管 1964 – 第一个最大频率为1.5 GHz的RF宽带晶体管 1970 – BFR90，一个5 GHz的RF宽带晶体管 1978 – BFQ33，一个14 GHz的RF宽带晶体管 1989 – 带有输出内匹配的共射极基站晶体管器件 1992 – 最高功率广播双级晶体管器件 1996 – 2 GHz业界最高性能的LDMOS器件 2004 – 第五代LDMOS成为业界功率放大器最先进的制程工艺 2006 – 全集成Doherty晶体管 2007 – 业界首家高集成的硅工艺IC卫星解决方案：TFF1004HN 2008 – 基于JESD204A标准的高速数据转换器 2009 – 适用于FM收音机的1kW单晶体管 (BLF578) 功率放大器 (88到108 MHz) 2009 – 领先的，下一代SiGe：C BiCMOS QUBiC4Xi技术 “我骄傲地为您介绍我们最新版的RF手册。它在一本综合的手册里涵括了恩智浦全系列的RF产品，我坚信您将在您的日常设计工作中将发现 第14版手册更有用。” 谨此致意， John Croteau 副总裁兼总经理 商业线高性能RF RF手册网页 /rfmanual 恩智浦半导体RF手册第14版 5 目录 1.1 移动通讯基础设施 _____________________________________________________