半导体与积体电路.PDF

半導體與積體電路 1. 介紹本文主題: 半導體 （英語 ：Semiconductor）是指一種導電性可 電子顯微鏡下碳奈米管微電腦晶片體的場效應畫面 受控制 ， 範圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看 ，半導體 的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品 ，如計算機、行動電話或是數位 錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有矽、 鍺、砷化鎵等 ，而矽更是各種半導體材料中 ，在商業應用上最具有影響力的一種。 材料的導電性是由導帶中含有的電子數量決定。當電子從價帶獲得能量而跳躍至導 電帶時 ，電子就可以在帶間任意移動而導電。一般常見的金屬材料其導電帶與價電 帶之間的能隙非常小 ，在室溫下電子很容易獲得能量而跳躍至導電帶而導電 ，而絕 緣材料則因為能隙很大 （通常大於9電子伏特），電子很難跳躍至導電帶 ，所以無法 導電。 一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特 ，介於導體和絕緣體之間。因此只要給予 適當條件的能量激發 ，或是改變其能隙之間距 ，此材料就能導電。 半導體通過電子傳導或電洞傳導的方式傳輸電流。電子傳導的方式與銅線中電流的 流動類似 ，即在電場作用下高度電離的原子將多餘的電子向著負離子化程度比較低 的方向傳遞。電洞導電則是指在正離子化的材料中 ，原子核外由於電子缺失形成的 「電洞」，在電場作用下 ，電洞被少數的電子補入而造成電洞移動所形成的電流 （ 一般稱為正電流）。 材料中載子 （carrier）的數量對半導體的導電特性極為重要。這可以通過在半導體 中有選擇的加入其他 「雜質」（IIIA、VA族元素）來控制。如果我們在純矽中摻雜 （doping）少許的砷或磷 （最外層有5個電子），就會多出1個自由電子 ，這樣就形 成N型半導體 ；如果我們在純矽中摻入少許的硼 （最外層有3個電子），就反而少了1 個電子 ，而形成一個電洞 （hole），這樣就形成P型半導體 （少了1個帶負電荷的原 子 ，可視為多了1個正電荷）。 積體電路 （英語 ：integrated circuit ，縮寫 ：IC）、或稱微電路 （microcircuit ）、微晶片 （microchip）、晶片/晶片 （chip）在電子學中是一種把電路 （主要包 括半導體裝置 ，也包括被動元件等）小型化的方式 ，並時常製造在半導體晶圓表面 上。 前述將電路製造在半導體晶片表面上的積體電路又稱薄膜 （thin-film）積體電路。 另有一種厚膜 （thick-film）併合積體電路 （hybrid integrated circuit ）是由獨 立半導體裝置和被動元件 ，整合到積板或線路板所構成的小型化電路。 2. 製造 使用單晶矽晶圓 （或III-V族 ，如砷化鎵）用 作基層。然後使用光刻、摻雜、CMP等技術製 成MOSFET或BJ T等元件 ，然後利用薄膜和CMP 技術製成導線 ，如此便完成晶片製作。因產品 效能需求及成本考量 ，導線可分為鋁製程 （以濺鍍為主）和銅製程 （以電鍍為主參 見Damascene）主要的製程技術可以分為以下幾大類 ：黃光微影、蝕刻、擴散、薄膜 、平坦化製成、金屬化製成 IC由很多重疊的層組成 ，每層由影像技術定義 ，通常用 不同的顏色表示。一些層標明在哪裡不同的摻雜劑擴散進基層 （成為擴散層），一 些定義哪裡額外的離子灌輸 （灌輸層），一些定義導體 （多晶矽或金屬層），一些 定義傳導層之間的連線 （過孔或接觸層）。所有的元件由這些層的特定組合構成。 • 在一個自排列 （CMOS）過程中 ，所有門層 （多晶矽或金屬）穿過擴散層的地方 形成電晶體。 • 電阻結構 ，電阻結構的長寬比 ，結合表面電阻係數 ，決定電阻。 • 電容結構 ，由於尺寸限制 ，在IC上只能產生很小的電容。 更為少見的電感結構 ，可以製作晶片載電感或由迴旋器模擬。 因為CMOS裝置只啟動電流在邏輯閘之間轉換 ，CMOS裝置比雙極型元件 （如雙極性電 晶體）消耗的電流少很多 ，也是現在主流的元件。透過電路的設計 ，將多顆的電晶 體管畫在矽晶圓上 ，就可以畫出不同作用的積體電路。 隨機存取記憶體是最常見類型的積體電路 ，所以密度最高的裝置是記憶體 ，但即使 是微處理器上也有記憶體。儘管結構非常複雜 －幾十年來晶片寬度一直減少 －但積 體電路的層依然比寬度薄很多。元件層的製作非常像照相過程。雖然可見光譜中的 光波不能用來曝光元件層 ，因為他們太大了。高頻光子 （通常是紫外線）被用來創