分子束外延生长：在单原子水平上精确构建量子世界 - 清华大学.PDF

赛先生 2016/9/19 分子束外延生长：在单原子水平上精确构建量子世界 清华大学物理系 薛其坤 “东家之子，增之一分则太长，减之 一分则太短，著粉则太白，施朱则太赤”， 这是两千多年前楚国小鲜肉宋玉在《登徒 子好色赋》中对一个东方美女的经典描 绘。如今，借助高科技电脑合成技术，科 学家向我们呈现了这样一副完美的东方 面孔（图 1）。 图 1 电脑合成的完美的东方女性面孔 古往今来，对于美好事物的追逐和精益求精是人类得以繁衍生息 的驱动力。人们常说，差之毫厘，谬之千里。新型量子材料性质的改 变可以说是发生在原子级的尺度上，也就是“毫厘”的百万甚至千万分 之一！因此，在纳米甚至原子尺度上精确设计和控制量子材料就成为 现代科学研究最关键的技术之一。发展于上世纪六、七十年代的分子 束外延（Molecular beam epitaxy, MBE ）生长技术就是这样一个可以 从原子（构成物质的最小单元）层面构建量子世界的强大武器，其对 材料的控制能力完全达到了宋玉对东方美女所描绘的那种意境。 1968 年，美国贝尔实验室的 J. R. Arthur 和 A. Y. Cho （卓以和） 在超高真空中研究 Ga 与 As2 在 GaAs 晶体的表面吸附时，意外的发 现，Ga 原子的存在会促进 As 在表面的吸附。进一步增加 As ，会使 2 1 / 11 分子束外延生长 ：在单原子水平上精确构建量子世界 赛先生 2016/9/19 得在 GaAs 表面生长出高质量的 GaAs 薄膜。这一发现立刻引起了轰 动，要知道在那个年代，无数的科学家正为如何得到严格化学配比的 III －V 族半导体包括 GaAs 而绞尽脑汁。 分子束外延生长，顾名思义，就是使组成目标样品的原子或分子 定向运动到目标衬底（一般为有确定晶向的单晶）上，并使其按照衬 底的晶体结构进行生长。具体到 GaAs，就是使单质的 Ga 与 As 分别 形成原子束或分子束，然后在合适衬底上相遇并反应形成 GaAs 。如 何获得定向运动的原子或分子束呢？类似于加热烧杯中的水，对靶材 加热，就可以蒸发出原子或分子。但这还不够，当我们加热一杯水时， 熟悉的场景是，水蒸气很快就被空气中的粒子散射，传播距离有限。 因此，生长进行的环境一定要是超高真空，对MBE 而言，通常需要 -13 比大气压低 10 倍以上的真空。只有在这样“超净”的环境中，才能 有效的减小靶材原子或分子在到达衬底之前与环境气体的碰撞，形成 准直的分子束。那么如何保证原子或分子在衬底表面反应并形成外延 生长呢？这里的另一个关键就是衬底的温度。可以想象，如果衬底温 度过低，原子或分子到达衬底后不能充分迁移、反应和晶化，肯定无 法获得好的外延生长；反之，如果衬底温度太高，到达衬底的原子， 特别是分子，极易发生脱附，这不但导致较低的生长速率，更严重的 是非化学配比薄膜的形成。为了制备组分精确且组分突变的半导体材 料，如超晶格和异质结，我们还需要精确控制各个蒸发源的温度。PID 控制器（比例-积分-微分控制器）的发展使我们对温度的控制精度达 到 1℃以下，这对获得组分精确可控的半导体材料、异质结和超晶格 2 / 11 分子束外延生长 ：在单原子水平上精确构建量子世界 赛先生 2016/9/19 起到了奠基的作用。 为了保证半导体器件的性能，半导体材料必须要做得非常的纯， 往往几百万原子中才允许有一个杂质。要做到这一点，MBE 生长不 但要在超高真空中进行，而且用作蒸发源的原