电子束离子阱（EBIT）中离子电荷态分布及能量的演化.pdfVIP

摘要 BeamIon 电子束离子阱(ElectronTrap，EBIT)是一种作为高电荷态离子源或 者高电荷态离子光源，并用于多种科学研究的有效装置。作为离予源，它可以产 生任意元素的任意电荷态的离子，用于研究离子与表面碰撞，离子与原子、电子、 光子的相互作用，还可以作为高能加速器的注入源。作为光源，它可以产生任意 元素的从可见光到x射线波段的光，用来研究原子能级结构，跃迁光子发射及 吸收等过程。 对EBIT中影响离子电荷态分布及能量(温度)演变的各种因素的了解使得 我们能更好地控制实验条件，选取实验参数如：电子束能量、电子束流、磁场强 度、轴向势阱深度、注入粒子密度等。这需要对发生在EBIT阱区中的电离、复 合、交换、加热、蒸发冷却、离子逃逸等很多物理过程进行分析。 本文通过建立相比前人更加合理的物理机制，考虑了发生在EBIT中的大部 分物理过程，如电离、辐射复合、离子与原子间的多电子交换、离子束缚和逃逸 等，编写电脑程序对EBIT中的离子电荷态分布及能量演化进行了模拟。 本文引入离子与原子的单电子交换及多电子交换效应(包括2，3，4个电子 的交换)，讨论了多电子交换效应对u离子和Th离子的电荷态分布的巨大影响， 如对11175+离子，考虑多电荷交换与不考虑多电荷交换的离子量差别高达两倍多。 对离子的径向分布采用Boltzmann分布而非传统认为的平均分布对电荷态分布 的影响进行了讨论，并得出Boltzmann分布对低价态离子的分布具有重要的作 用，如N3+离子的量在两种分布机制下得到的结果差一倍多。电子束的径向分布 采用的是Guass分布替代平均分布。对电子电离Lotz截面公式，引入了相对论 修正，这种相对论修正对离子的电荷态分布有着显著的影响。通过对u离子和 Th离子的模拟结果与实验结果及其他的模拟结果的对比，可以看出我41]的模拟 结果与实验符合得更好。本文以Dy离子为例，讨论了离子的电荷态、温度随时 间的演变，离子在动态平衡时不同过程的有效反应率，揭示EBIT中各种物理过 程的矛盾关系。全面细致的研究了EBIT的几个重要的工作参数：电子束能量、 电子束流、冷却气体密度和轴向势阱对离子电荷态和温度的影响，通过Dy离子 电荷态分布及温度的演化随冷却气体密度和电子束流密度变化的三维图，更好的 描述了针对不同实验目的，调控EBIT的各个工作参数以得到最佳实验结果。 关键词：EBIT,电荷态，温度，有效反应率，多电子交换，波尔兹曼分布，重叠 因子 中图分类号：0562．4 Abstract AnElectronBeamIon adevicewhichcanbeusedbothasa ion Trap(EBIT)is highlycharged andasaHCI sourceforvariouskindofresearch．Asanion carl (HCI)source light source，it ionsof stateandof ionsurface element，for basicallyprovide anypossiblecharge any studies，for ion ion be electron，and collisionstudies．EBITscanalsousedas for atom，ion photon injections accelerators．Asa c,all fromvisibleto energy seDrce，EBITs light