实验1 激光器P-I特性曲线绘制实验.PDF

光纤通信试验箱实验讲义 1 P-I 实验 激光器 特性曲线绘制实验 一、 实验目的与要求 1、 学习半导体激光器发光原理 2、 了解半导体激光器平均输出光功率与注入电流的关系 3、 掌握半导体激光器 P-I 曲线的测试及绘制方法 二、 实验内容 测量半导体激光器功率和注入电流，并画出 P-I 关系曲线。 三、 实验仪器 JH5002A+型光纤通信实验系统，光功率计，万用表。 四、 基本原理 1、半导体激光器的功率特性及伏安特性 图 1-1 激光器的功率特性 半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如图-1 所示，该特性有一个转折点，相应 的驱动电流称为门限电流(或称阈值电流)，用 I 表示。在门限电流以下，激光器工作于自 th 发发射，输出荧光功率很小，通常小于 1nW；在门限电流以上，激光器工作于受激发射，输 出激光，功率随电流迅速上升，基本上成直线关系。激光器的电流与电压的关系相似于正向 二极管的特性，如图 1-2 所示，但由于双异质结包含两个 P-N 结，所以在正常工作电流下激 光器两极间的电压约为 1．2V。 图 1-2 激光器的伏安特性 阈值条件就是光谐振腔中维持光振荡的条件。设受激发射所产生的光介质的平均增益系 数 (单位长度上的增益)为g ，光介质的平均损耗系数为a，则光谐振腔产生和维持光振荡的 条件为光子在光谐振腔中来回反射一次所产生的光能增益大于或等于光能的损耗，用公式表 示为： （1-1） 式中 L 为光谐振腔的长度，r1，r2 分别为光谐振腔两端镜面的反射系数 (Orl1；Or21)。 可解得门限状态下的增益系数为g th ： （1-2） J 为门限状态下注入有源区的电流密度。 为平均增益因子，其值取决于激光器的材料与 th 结构。根据电流密度 J 可按下式计算出门限电流 I th th 式中 b 为有源区宽度，ξ（1）为电流侧向扩展因子。采用 BH、DC—PBH 和 RWG 激光器结构， 可使 ξ接近于 1，故能获得较小的门限电流。激光器功率特性的线性程度对模拟光纤传输系 统的非线性失真指标影响很大。 半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器与发光二极管 LED 不同，它通过受激辐射发 光，是一种阈值器件。由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产 生高功率(≥10mW)辐射，而且输出光发散角窄 (垂直发散角为 30—50°，水平发散角为 0～ 30°)，与单模光纤的耦合效率高(约 30％～50％)，辐射光谱线窄(A =0．1—1,0nm)，适 用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速(20GHz)直接调制，非常适合于作高速长 距离光纤通信系统的光源。 对于线性度良好的半导体激光器，输出功率可以表示为 （1-3） 其中 （1-4） 这里的量子效率 η 表征注入电子通过受激辐射转化为光子的比例。在高于阈值区域， int 大多数半导体激光器的 η 近于 1。 int （1-3）式表明，激光输出功率决定于内量子效率和光腔损耗，并随着电流而增大，当 注入电流 II 时，输出功率与 I 成线性关系。其增大的速率即 P-I 曲线的斜率，称为 “斜 th 率效率”： dP h