小讯号电压增益.PPT

CMOS 共閘級放大器 主動負載 M2 是一個PMOS 驅動電晶體 M1 為NMOS 在M1上的 S 極是輸入信號 在M1上的 D 極是輸出端. 基體效應 在這兩種電路，電容末端放大電晶體?M1將連接最負電壓源，這是不一樣的源極 小信號等效電路（b）與兩個信號接地 小信號電壓增益： 下面的例子將證明結果 下面的例子將分析小信號等效電路（b）確定輸出阻抗 Example 4.16：如圖4.52(a)，決定共閘極電路小信號電壓增益和輸出電阻。假設參考偏置電流?IBias= 0.20?mA和偏置電壓為 VDD=5V。假設電晶體參數?VTN=+0.80V，VTP的= -0.80V，Kn=0.20?mA/V2，?Kp=0.20?mA/V2，λn=λp=0.01V- 1。我們可以注意到，由於?M2和M3匹配電晶體具有相同的源到柵極電壓，在?M1偏壓電流ID1= IBias=0.20mA。 Solution (voltage gain)：從圖4.52（b），我們可以在總結電流輸出節點，並獲得 或是 從電路中我們看到， Vgs = -Vi。然後，我們找到了小信號電壓增益為 我們發現小信號等效電路參數 和 我們可以發現 or Av=101 解答 (輸出阻抗)：從圖4.52(c)中可以找到輸出阻抗。在總結電流輸出節點，我們發現 不過 Vgs=0 使 gm1Vgs=0. 我們可以得到 或 Multistage Amplifiers 一個單級信號電晶體放大器將無法滿足大多數應用。 合併後的規範某一特定放大倍數，輸入阻抗和輸出阻抗不能被一個信號電晶體放大器展開。 例如：電壓增益的要求可能多餘的可以得到一個信號電晶體電路。 串級組態：共源放大器之後串接緣極隨偶放大器 在C- S的放大器 M1 提供Av 源極隨偶 M2具有低 RO 並提供所需的IO 外接耦合電容 充當短路的中頻小信號電壓增益多級放大器 Example 4.17：考慮如圖4.53的多級串聯電路決定小信號電壓增益。所示電路。該晶體管參數為Kn1 = 0.5 mA/V2, Kn2 = 0.2mA/V2, VTN1 = VTN2 = 1.2V, and λ1 = λ2 = 0.靜態漏極電流的ID1 = 0.2 mA 和 ID2 = 0.5 mA. Solution：小信號等效電路如圖4.54所示。小信號轉導參數為 和 輸出電壓為 還有, 其中 則 因此 小信號電壓增益，然後 或是 結論: 1. 源極隨耦 AV 略小於 1。 2. 總增益基本上是由於?C-S 輸入階段。 3. 源極隨耦器輸出阻抗小，這在許多應用中是可取的 疊接組態 一個共源放大器之後跟隨著源極隨耦放大器 C- S的放大器 M1 提供Av C-G放大器 M2 這種類型的優點是電路較高的頻率響應 Example 4.18：考慮如圖4.55所示疊接電路，決定疊接電路的小信號電壓增益。電晶體參數為 Kn1 = Kn2 = 0.8mA/V2, VTN1 = VTN2 = 1.2V，λ1 = λ2 = 0。在每個晶體管靜態極極電流 ID = 0.4mA 。假設電路的輸入信號被為一個理想的電壓源。 解答：由於 M1=M2 然後因為目前在這兩個電晶體是一樣的，小信號轉導參數為 小信號等效電路如圖4.56 所示。M1供應?M2 的電源電流與信號電流(gm1Vi)。電晶體為當前的 M2 電流源極隨耦器且通過這個極極端點。 因此，輸出電壓為 由於Vgs1=Vi，小信號電壓增益為 或 結論: AV 是基本相同的一階 C-S放大器。在另外一個C-G電晶體將增加頻帶寬度，我們會在後面的章節看到。 Basic JFET Amplifiers 小信號等效電路 vGS為一個瞬態 飽和偏壓 第一項是直流或靜態 IDQ 第二項是線性關係的長期信號。 第三項將在輸出電流產生的非線性失真。 為了減少這種失真, 必須滿足?JFET放大器是線性 dc IDQ ac id 忽略 電導為 n通道和P通道 N通道Vp ≦0, gm ≧0; P通道Vp ≧0, gm ≦0