离子注入技术在α-Al,2O,3晶体中形成微颗粒的研究.pdfVIP

离子注入技术在Q—AI：0。晶体中形成微颗粒的研究 核技术及应用 专业 研究生阳剑 指导教师黄宁康 对n—AI。0a晶体中色心缺陷的探讨是当前研究热点之一，采用离子注入方 法在晶体中掺入杂质元素，通过对注入参数的调节、基材晶向的选择以及热退 火工艺的控制，以形成微细颗粒的研究进行得不多，因而这是一个相当新颖的 课题。本研究首次采用cu+离子注入单晶n—AI。@，通过退火来研究d-AI：0。晶 体中Cu微粒的形成规律。本论文首先介绍了o-AI：仉晶体和色心基础，然后讨 论了离子注入的基本理论，最后研究了cu+离子注入q—Al扣。的实验现象。主要 工作和结果如下： 不同晶向的Q—A120a晶体试样，并在还原气氛中进行不同温度下的退火处 理。 2．根据TRIM程序，给出了cu离子注入q-A1。0。材料的离子射程及辐射损伤。 3．不同晶向的样品进行光学测量，均发现在紫外光区产生较强的吸收，通过高 斯拟合以及荧光分析确认，产生光吸收的色心缺陷主要是F心、盯心等阴离 子点缺陷。 4．不同条件下制各的样品经吸收光谱测定，较低温度下进行cu+离子注入的样 品，其光吸收强度就强些，此说明低温离子注入在a-A1：n晶体中产生的色 心数目会多些。 5．退火可有效消除色心点缺陷，对于不同条件制备的样品，退火引起吸收强度 减弱的趋向大致相同，进一步确认了不同条件注入cu+的n-A1。0。中，产生的 缺陷类型是一致的。当高于1000。C以上温度退火后，离子注入引起的色心缺 陷基本上消除。 6，对退火后的试样进行表面形貌观察，发现在表面形成了分布均匀的亚微米量 级颗粒。颗粒大小取决于退火条件，主要取决于退火温度。可以预料，合适 的退火温度可以形成人们所要求大小的粒子，如纳米颗粒。 关键词：离子注入 d—A1…0晶体色心射程理论退火 OiltheFormationofMicro——Particle Study by Ion MethodinQ—A1 203 Implantation Crystal ofNuclear Major：Technology＆Application jianAdvi Postgraduate：Yang sor：HuangNingKang Thestudiescolorcentersdefects on isoneofhotissues inⅡ一A1203crystal studiesontheformationof in ion nowadays．The micro—particlescrystalbyusing with orientationthermal and implantationselectingimplantingparameter，crystal are onthe studies formationofmicro— annealingprocessverynovel．System