LecroyDDR123TESTcustomerRev093张昌骏.pdf

Introduction of DDR2 Measurement 美国力科公司深圳代表处 张昌骏 Agenda DDR2简介 内存的信号完整性测量 QPHY-DDR2测试结果分析 读眼图或写眼图 WRITE测试结果分析 READ测试结果分析 如何分离读/写波形 电源噪声测量 回到目录 DRAM简介 回到目录 SDRAM的发展 Synchronous Dynamic Random Access Memory: 同步动态随机存储器 SDR: Single Data Rate，3.3V 电压，LVTTL电平 DDR: Double Data Rate，2.5V 电压，SSTL25 电平 DDR2: Double Data Rate 2，1.8V电压，SSTL18 电平 回到目录 DDR2 Benefits DDR2-400/533/667/800，频率更高，性能更好 1.8V供电，低于DDR的2.5V，更省电 On Die Termination，无须端接电阻，节省布板空 间 回到目录 DDR vs. DDR2 回到目录 DDR2 ODT ODT，无需在主板上添加端接电阻，改善信号完整性 4n/Prefetch，数据速率4倍于时钟速率 突发长度Burst Length = 4 回到目录 ODT工作原理 ODT是控制DRAM的buffer和pin之间的3对端接电阻开关来实现的 回到目录 ODT工作原理 在EMR中可以设置50、75、150欧或关闭Rtt 、四种termination方式 回到目录 DDR2的模式寄存器 回到目录 DDR2的读写潜伏时间 回到目录 内存系统的信号完整性测试 回到目录 DDR2的电路示意图 Memory DRAM Controller Clock (CLK) Diff Clock (CLK) Strobe (DQS) Strobe (DQS) Data (DQ) 8 lines Data (DQ) Control 6 lines Control Address 12 lines