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党智敏-2005-碳纳米管_聚偏氟乙烯复合材料的制备及其介电性能-川大学报
2005 年10 月 四川大学学报(自然科学版) Oct.2005
第42 卷增刊2 Journal of Sichuan University (Natural Science Edition) Vol.42 Issue 2
: 0490-6756(2005)0z2-0236-05
/
1 1, 2
王 岚,党智敏
(1., 100029;
2., 100029)
:作者研究了未经处理的多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯(MWNT/PVD )复合材料体系的介
电性能 现,在低频下,复合材料的介电常数随MWNT 的含量增加而迅速增加, 当体积分数
为2.0 %时,介电常数高达300 左右,并且复合材料的渗流阈值仅为1.61%.MWNT 较大的长
径比和较高的电导率导致复合体系渗流阈值较低. 生渗流效应时, 复合材料的介电损耗低于
0.4,与频率无关.因此,可以认为未经过化学处理的碳纳米管可以大幅度地改善PVD 基复
合材料的介电性能.
:碳纳米管;制备;介电性能;复合材料
:TM2 :A
1
, ,[poly (vinylidene
fluoride), PVD ], -poly[(vinylidene fluoride)-co-trifluoroethylene,
P(VD -Tr E)] --[poly (vinylidene fluoride-trifluo-
[1-5]
roethylene-chlorofluoroethylene), P (VD -Tr E-C E)], .
,(,),
[1,2]
.,,
[6]
0-3 .,
,, .
, , .[ 1, 3, 7] ,
、、
,.
/(MWNT/PVD ),
MWNT, .、
,, .
[4,5,8 ～12] .,
.,, MWNT/PVD
.MWNT/PVD .
MWNT , .
:2005-08-08
:(1981-), , 2003 .
＊.(1969-), , , Tel:010 E-mail:dangzm @mail.buct.edu.cn
增刊2 王岚等:碳纳米管/聚偏氟乙烯复合材料的制备及其介电性能 237
2
MWNT (DM )2 h,PVD DM ,
10min, 60 ℃8h .200 ℃15MPa 1mm,
12mm ,.,HP4194A 100Hz ～
40MHz .(,H-800).
3
1(a)MWNT/PVD .,
0.016 ～0.02 ,, .(1)
:
-s ′
σ ∝σ (f -f ) , f ≤f (1)
ef f PVD c M WNT MWNT c
, σ PVD ,f MWNT ,f , s ′
PVD MWNT c
.(1)f c ≈0.0161, s ′=0.849,, 1(a).
, f c 0.16,MWNT
.s 0.849(1(a)), (s ′≈0.
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