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Chapter 10 化學氣相沉積與介電質薄膜 1 目標 ‧辨別至少四種化學氣相沉積的應用 ‧描述化學氣相沉積製程的流程 ‧列出兩種沉積區間並說明他們與溫度之 間的關係 ‧列出兩種介電質薄膜 ‧列舉最常使用在介電質化學氣相沉積的 矽源材料 2 CVD氧化層 vs. 加熱成長的氧化層 SiO 2 SiO 2 Si Si Si 熱成長薄膜 矽裸片晶圓 沉積薄膜 3 CVD氧化層 vs. 加熱成長的氧化層 加熱成長 CVD ‧氧來自氣相的氧 ‧氧和矽都來自氣相 ‧矽來自基片 ‧沉積在基片表面 ‧薄膜成長氧進入基片 ‧溫度較低 ‧品質較高 ‧成長速率較高 4 介電質薄膜的應用 • 多層金屬連線中當做電氣隔離的介電質層 - 金屬沉積前的介電質層(PMD) - 金屬層間介電質層(IMD) • 淺溝槽絕緣 (STI) • 側壁空間層 • 鈍化保護介電質層 (PD) • 抗反射層鍍膜(ARC) 5 介電質薄膜在CMOS電路的應用 氮化矽 PD2 氧化矽 Metal 2, Al•Cu Al•Cu PD1 ARC W USG IMD 或 ILD2 金屬 1, Al•Cu PMD 或 W WCVD ILD1