高速光器件的光集成和光电集成.pdfVIP

1997 年 5 月 电 信 科 学 Vol. 13 No . 5 第 13 卷第 5 期 T EL ECOMMUN ICA TIONS SCIENCE May 1997 高速光器件的光集成及光电集成 李天培 ( ( ) ) Bell Communication Research Bellcore ,New J ersey ,L ISA Chandrasekhar S ( ) Bell Laboratories ,Crowforel Hill Lab ,New J ersey ,L ISA 摘要 本文介绍了高速激光器的现状 ,并综述了高速激光器的光集成和接收机的光电集成。最后 ,讨论了光集成和 光电集成技术及其今后的发展。 关键词 激光器 光器件 光集成 光电集成 1 引言 近十年来 ,陆地和海底光纤通信系统的迅速发 展为世纪之交的现代化光纤网络奠定了基础。随着 光缆成本的降低、光器件速率的提高和每比特相对 成本的下降 ,预计几年后新的传输设备和分布设施 将全部实现光纤化。各种迹象表明 :随着 Internet 用 户数目的增加 ,宽带业务的需求量也将增大。利用单 模光纤近30 THz 的带宽 ,一个以光纤为基础的光纤 网络将为人们所期望的“信息时代 ”提供各种宽带服 务。这些服务包括教育、电信业务、会议电视、交互式 ( ) 数据库服务 例如金融、购物、图书馆等 、计算机网 ( ) 图 1 光通信系统容量 络、高清晰度电视 HD TV 、点播娱乐服务和那些目 前我们尚未想到的其他业务。 近十年光波系统的迅速发展应部分归功于新型 当传输速率大于10 Gbit　s 时 ,人们普遍认为波 半导体材料和高速光器件工艺技术的进展。量子阱 ( ) 分复用 WDM 是充分利用光纤低损耗区近30 T Hz 和应变量子阱激光器比普通双异质结激光器具有更 带宽的一种可行的技术。在 WDM 系统中 ,总的传输 好的性能。在过去的30年里 ,半导体激光器的阈值电 ( ) 能力为比特率与 WDM 信道数的系积。如图1所示 , 流大大降低了 约为30年前的1　1000 ,这一进展完 实对角线分别表示1 Gbit　s 、10 Gbit　s 、100 Gbit　s 全归功于新的材料生长技术 ,如金属有机化学气相 ( ) ( ) 和1 Tbit　s 的总容量。由图1可看到 ,单信道系统的 沉积 MOCVD 和分子束外延 MB E 。利用这些技 速率每两年增加一倍 ,到1991年已达到2 5 Gbit 　s 。