毕设论文-沈剑飞-二稿-4.29.docx

硅衬底上高质量AlGaN/GaN异质结的MOCVD外延生长研究摘要氮化镓（GaN）作为第三代半导体的典型代表，因其具有直接宽带隙、高电子饱和速度、热稳定性好和抗辐射能力强等优良性质，与传统的硅、砷化镓半导体相比，在高温、高频、大功率电子器件方面有着广阔的应用前景。本文利用MOCVD系统，在4英寸Si（111）上采用单层低Al组分AlGaN作为缓冲层生长了GaN外延层，并通过原位监测系统、AFM、HRXRD和Hall测量等表征手段，对材料表面形貌、晶体质量和电学性质等进行表征。首先，对硅衬底上GaN生长的前期工艺进行设计与优化。结果表明：AlN缓冲层的Ⅴ/Ⅲ比、生长温度以及AlGaN缓冲层的生长速率会对GaN的晶体质量产生显著影响。之后，在优化的AlGaN/AlN/Si模板上，继续生长了2厚的GaN外延层。其均方粗糙度为0.17nm（），（0002）面和（）面摇摆曲线半高宽为439arcsec和621arcsec，获得了较好的GaN表面形貌和晶体质量。最后在此基础上，生长了AlGaN/GaN异质结。其二维电子气迁移率高达2200cm2V-1s-1，方块电阻为313±4，说明生长出了高性能的AlGaN/GaN异质结，为后期研制高性能的AlGaN/GaN基HEMT器件打下坚实基础。关键词：氮化镓 硅衬底 金属有机物化学气相沉积 缓冲层 异质结Growth of High Quality AlGaN/GaN Heterostructures on Si Substrates by MOCVDAbstractKey words: Gallium Nitride Silicon Substrate Metal-organic Chemical VaporDeposition (MOCVD)Buffer LayerHeterostructure目录中文摘要Abstrate 绪论Ⅲ族氮化物半导体材料概述Ⅲ族氮化物半导体研究背景及意义Ⅲ族氮化物半导体的基本结构和性质硅衬底上AlGaN/GaN异质结材料与器件介绍1.2.1 Si衬底上GaN外延层异质生长1.2.2 AlGaN/GaN异质结材料和器件本文主要研究内容外延生长技术和材料表征方法介绍2.1 外延生长技术2.1.1 分子束外延(MBE)2.1.2 金属有机化学气相沉积(MOCVD)2.2 材料表征方法 2.2.1 原子力显微镜(AFM)2.2.2高分辨X射线衍射(HRXRD)2.2.3霍尔测量（Hall） 硅衬底上AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究3.1 硅衬底上GaN生长的前期工艺 3.1.1 硅衬底表面的处理工艺3.1.2 AlN成核层的设计与优化3.1.3 AlGaN缓冲层的设计与优化3.2硅衬底上GaN薄膜的生长与表征 3.2.1高质量GaN薄膜的外延生长 3.2.2 材料表征与性能分析3.3硅衬底上AlGaN/GaN异质结的生长与表征 3.3.1 AlGaN/GaN异质结的外延生长 3.3.2材料表征与性能分析总结与展望4.1 总结4.2 展望参考文献致谢第一章 绪论1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料概述1.1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料研究背景及意义材料是高新技术和现代文明发展的物质基础，材料科学一直活跃在科学探索的前沿。材料是技术进步的关键。没有半导体材料，就不会出现计算机；没有耐高温、高强度、低密度的结构材料就没有宇航事业的发展。因此，材料科学技术与能源技术、信息技术并称为21世纪人类文明的三大支柱，在国家科学研究、国防建设与经济建设中占有重要地位。Ⅲ族氮化物半导体，也称为GaN基半导体材料，包括GaN、InN、AlN以及三元和四元固溶体，是近年来发展起来的半导体材料研究的新领域。Ⅲ族氮化物半导体由于具有独特的物理化学性质，使其成为发展短波长光学器件和微波半导体功率器件不可替代的半导体体系，与碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等半导体材料一起，被誉为是继第一代锗（Ge）、硅（Si）半导体材料和第二代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。早在1952年，Welker就预言了Ⅲ-Ⅴ族化合物具有半导体性质。二十世纪六、七十年代后叶，随着液相外延（LPE）和高压气相外延（HVPE）等晶体生长技术的发展，Ⅲ族氮化物半导体材料的研究得到了迅速发展。而分子束外延（MBE）和金属有机气相外延（MOVPE）等薄膜晶体技术的提出，使得Ⅲ族氮化物半导体材料的研究进入了一个新的高度【1】。从1971年Pankove等人研制出第一支氮化镓基（GaN）发光二极管（LED）开始，以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料和器件的研究，至今已有四十多年的历史了。早期工作中，GaN材料的研究面临很多难题。首