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集成运放概述电流源

第四章 集成运算放大器 模拟电子技术基础 集成电路: 将整个电路的各个元件做在同一个半导体基片上,简称 IC (Integrated Circuit)。 §4.1 集成运算放大电路概述  集成电路的外形 优 点:工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、功耗小;低价位、高性能,在多数情况下已取代了分立元件放大电路。 (a)双列直插式 (b)圆壳式 (c)扁平式 4.1.1 集成运放的电路结构特点 二. 对称性好,元件参数偏差方向一致,温度均一性好,适用于构成差分放大电路。 三. 电阻元件由硅半导体构成,其阻值范围一般在几十欧到几十千欧之间,精度低,如需高阻值电阻时,通常用有源元件(三极管)代替或外接。 一. 在芯片上制作比较大的电容和电感非常困难,电路通常采用直接耦合电路方式。 四. 不同类型晶体管因制作工艺不同,性能有较大差异(NPN、 PNP管的? 差别较大,通常PNP的?≤10 ),在集成运放中常采用复合管形式。 一、输入级 差分电路,大大减少温漂,抑制共模信号。 二、中间级 复合管,且采用以恒流源做集电极负载的共发射极电路,增益大。 三、输出级 采用互补输出电路,带负载能力强 四、偏置电路 电流源电路(区别于分立元件),为各级提供合适的静态工作点。 输入级 偏置电路 中间级 输出级 + ? uo uid 4.1.2 集成运放电路的组成及其各部分的作用 实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路。 集成运放的基本组成 选择合适答案填入空内。 集成运放电路采用直接耦合方式是因为( )。 A.可获得很大的放大倍数 B.可使温漂小 C.集成工艺难于制造大容量电容 C 集成运放制造工艺使得同类半导体管的( )。 A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C.参数一致性好 C 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。 A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻 A 为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( )。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 A 4.1.3 集成运放的电压传输特性 图 4.1.2 集成运放的符号和电压传输特性 uO=f(uP-uN) + Aod uN uP uO uO uP-uN 集成运放的两个输入端分别为同相输入端uP和反相输入端uN。这里的“ 同相”和“反相”是指运放的输入电压与输出电压之间的相位关系。 从外部看可认为是差分放大电路:双端输入单端输出,高差模放大倍数,高输入电阻,低输出电阻,很好抑制温漂。 电压传输特性 输出电压与其两个输入端的电压之间存在线性放大关系,即 uO uP-uN 集成运放的工作区域 线性区域: Aod为差模开环放大倍数(没有通过外电路引入反馈,也叫开环差模电压增益 ),其值非常高,可达几十万倍,故线性区很窄。 非线性区域: 输出电压只有两种可能的情况: +UOM或-UOM UOM为输出电压的饱和电压。 +UOM -UOM 此外也具有性能指标:共模抑制比KCMR 4.2 集成运放中的电流源电路 1、集成运放电路中的三极管除了作为放大管外,还构成电流源电路,为各级提供合适的静态电流; 2、或作为有源负载取代高阻值电阻Rc,从而增大放大电路的电压放大倍数。 4.2.1 基本电流源电路 一、镜像电流源 +VCC R IREF + + T1 T2 IC2 IB1 IB2 2IB IC1 UBE1 UBE2 基准电流 T1与T2参数基本相同,由于 UBE1 = UBE2,则 IB1 = IB2 = IB;IC1 = IC2 = IC 所以得 当满足 ? 2 时,则 T1、T2管具有电流镜像关系——镜像恒流源电路 优点:具有一定的温度补偿作用;缺点:在电源电压VCC一定的情况下,IC2变大变小都会引起电路不适。——详见P189说明 PNP 管怎 么接 二、比例电流源 由图可得 UBE1 + IE1R1 = UBE2 + IE2R2 由于 UBE1 ? UBE2 ,则 忽略基极电流,可得 集电极电流近似与发射极电阻的阻值成反比,故称为比例电流源。由于R1、R2是电流负反馈电阻,因此相比镜像电流源具有更高的温度稳定性。 +VCC R IREF + + T1 T2 IC2 IB1 IB2 IB1+IB2 IC1 UBE1 UBE2 R1 R2 当IR一定时, UBE1- UBE2 = △UBE = IE2Re,从而可得: e BE2 BE1 R U U - = e BE R U D = +VCC R IREF T1 T2 IC2 IC1 Re Re IB1 IB2 IB1+IB2 三、微电流源 集成电路中某些放大电路往往要求提供微弱的偏置电流。改进后电

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