Cu对用于高速相变存储器的Sb2Te薄膜的结构及相变的影响研究.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．15(2015) 156102 Cu对用于高速相变存储器的Sb2Te薄膜的结构及 相变的影响研究冰 王东明) 吕业刚1)t 宋三年2) 王苗 ) 沈祥3) 王 国祥3) 戴世勋3) 宋志棠2) 1)(宁波大学信息科学与工程学院，宁波 315211) 2)(中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050) 3)(宁波大学高等技术研究院，红外材料及器件实验室，宁波 315211) (2014年 10月6日收到；2015年3月 18日收到修改稿) 采用原位x射线衍射仪 、拉曼光谱仪和x射线反射仪分别研究了Cu．Sb2Te薄膜的微结构、成键结构和 结晶前后的密度变化．Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大．在 10at．％和14at．％Cu的Sb2Te 薄膜 中，Cu与 Te成键，结晶相 由六方相的CuTTe4、菱形相的Sb及六方相的Sb2Te构成．10at．％和 14at．％ Cu的Sb2Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3．2％和 4．0％，均小于传统的Ge2Sb2Te5(GST)薄膜．制 备了基于Cu．Sb2Te薄膜的相变存储单元，并测试了其器件性能．Cu—Sb2Te器件均能在 10ns的电脉冲下实 现可逆SET—RESET操作．SET和RESET操作电压随着 Cu含量的增加而减小．疲劳测试结果显示，Cu含 量为 10at．％和14at．％的PCRAM单元的循环操作次数分别达到1．3×10和1．5×10，RESET和SET态 的电阻比值约为100．Cu—Sb2Te可以作为应用于高速相变存储器fPCRAM)的候选材料． 关键词：相变存储器，相变存储材料，结构 PACS：61．82．Fk，68．60．-p，61．46．_、V DOI：10．7498／aps．64．156102 在热稳定性和速度之间有着较好的均衡 6[]．尽管 1 引 言 如此，GST仍然存在某些不足：1)GST较高的熔 点及较低 的晶态 电阻率使得PCRAM 需要较大的 日益增长的消费电子市场对非易失性存储器 驱动电流来完成RESET操作，进而导致较大的功 的速度、密度和功耗等性能提出了更高的要求 [1]． 耗 [7-9】．2)采用0．18gm CMOS工艺，基于GST 基于硫系化合物的相变存储器fPCRAM)能满足 的PCRAM器件单元需要几百纳秒 的电脉冲完成 这一要求，被广泛认为是最具前景的非挥发存储器 SET和RESET操作 -10_，所 以GST的结晶速度有 之一，有可能成为下一代非挥发存储器 [，引．这源 待提高．与GST相 比，富Sb的Sb—Te材料具有很 于PCRAM有近乎完美的性能，例如微缩性好、数 多优点，例如较低的熔点和较快的结晶速度 [11,12】． 据保持力强、成本低及与CMOS工艺兼容性好等 然而，较低的结晶温度使得该材料不具备满意的数 特 点 [4_51． 据保持力 [13]．通过Si或Ga的掺杂能在一定程度 伪 二 元GeTe-Sb2Te3相 变 材 料，尤 其 是 上优化其相变性能，提高热稳定性 [14,15】．然而，Si— Ge2Sb2Te5(GST)，是当前应用在PCRAM 中的主 Sb—Te材料 中成分分布不均匀及Ga-Sb—Te材料的 流材料，GST是应用最广泛的相变材料，因为其 开关 比不理想等 问题阻碍 了这些材料在PCRAM 国家自然科学基金 (批准号：613