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1060nm 近红外增强硅雪崩光电二极管
1060nm近红外增强硅雪崩光电二极管
产品说明
所述C30954EH，C30955EH和C30956EH是采用双扩散 “穿透”结构的通用硅雪崩光电二极管。这
些光电二极管的设计是长波响应（即900纳米）已得到增强，而不会引入任何不良属性。
这些APD在 1060纳米有高达40％的量子效率。同时，该二极管保持低噪声，低电容，以及快速的上
升和下降时间特性。
为了帮助简化许多设计需要，这些APD也在Excelitas 的高性能混合前置放大器模块类型C30659系
TE LLAM
列可用，以及前置放大器和 冷却器并入模块类型 系列。请参考相应的部分本产品目录中。
特征和优点 应用
·在 1060nm高量子效率 ·测距
·快速响应时间 ·激光雷达(光探测和测距)
YAG
·工作温度范围宽 · 激光检测
·低结电容
·密封包装
·RoHs认证
近红外增强硅雪崩光电探测器
Partnumbe Photon Respon- Dark Spectral capacitance Response NEP@ Vop
Sensitive sivity cu ent noise @100KHz Time 1060nm Range
Diamete @1060nm cu ent
unit mm A/W nA pA/√Hz pF ns fW / √Hz) V
C30954EH 0.8 36 50 0.5 2 2 14 275-425
C30955EH 1.5 34 100 0.5 3 2 15 275-425
C30956EH 3.0 25 100 0.5 10 2 20 275-425
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