百万像素级红外焦平面器件倒装互连工艺研究 - 激光与红外.PDF

第４７卷　 第３期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４７，Ｎｏ．３ 　 ２０１７年３月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｍａｒｃｈ，２０１７ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１７）０３０３１９０３ ·红外材料与器件 · 百万像素级红外焦平面器件倒装互连工艺研究 谢　珩，王宪谋，王　骏 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：介绍了倒装互连技术的工艺原理，阐述了红外焦平面器件倒装互连的工艺特点。通过 系列实验和分析，最终优化并确定了百万像素级红外焦平面器件倒装互连的工艺参数，获得了 良好的互连效果。 关键词：倒装互连；百万像素；碲镉汞；红外焦平面 中图分类号：ＴＮ２１４　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１７．０３．０１２ Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｆｌｉｐｃｈｉｐｂｏｎｄｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒ ｍｅｇａｐｉｘｅｌｓＨｇＣｄＴｅｉｎｆｒａｒｅｄＦＰＡｄｅｖｉｃｅ ＸＩＥＨｅｎｇ，ＷＡＮＧＸｉａｎｍｏｕ，ＷＡＮＧＪｕｎ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｈｅｏｒｙｏｆｆｌｉｐｃｈｉｐｂｏｎｄｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｗａｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ，ａｎｄｔｅｃｈｎｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｆｌｉｐｃｈｉｐｂｏｎｄｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒｉｎｆｒａｒｅｄＦＰＡｗａｓｅｘｐｏｕｎｄｅｄＴｈｅｔｅｃｈｎｉｃａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆｆｌｉｐｃｈｉｐｂｏｎｄｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｍｅｇａｐｉｘｅｌｓｉｎ ｆｒａｒｅｄＦＰＡｄｅｖｉｃｅｗｅｒｅｏｐｔｉｍｉｚｅｄａｎｄｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓａｎｄａｎａｌｙｓｉｓ，ｗｈｉｃｈｌａｙｔｈｅｆｏｕｎｄａｔｉｏｎｆｏｒ ｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｉｎｆｒａｒｅｄＦＰＡｄｅｔｅｃｔｏｒ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｆｌｉｐｃｈｉｐ；ｍｅｇａｐｉｘｅｌｓ；ＨｇＣｄＴｅ；ｉｎｆｒａｒｅｄＦＰＡ １　引　言 积、更低的成本和读出电路的热匹配、更成熟的工艺 红外焦平面探测器领域近些年呈现爆发式发展 技术等受到最为广泛的应用。 ［１］ ［４］ 趋势 ，目前应用正从二代、二代高端组件向着以 ２　倒装互连技术介绍 ［２］ ［３］ 大面阵 、双多色 为代表的三代焦平面组件方面 倒装芯片是将芯片的有源面（具有表面键合压 发展。１０２４×１０２４中波碲镉汞探测器属于高性能 点）面向基座的粘贴封装技术（即把芯片反转，将有 第三代超大规模碲镉汞探测器，可以实现百万像素 源面向下放置－这就是称为“倒装”的原因）。这是 的凝视成像，能够显著提高红外成像系统的探测灵 目前从芯片器件到基座之间最短路径的一种封装设 敏度和图像分辨率，大幅度提高红外成像系统的探 计，为高速信号提供了良好的电连接。由于它不使 测与识别距离，因此拥有广阔的应用前景。但由于 用引线框架或塑料管壳，所以重量和外形尺寸都有 碲锌镉衬底材料尺寸较小及价格十分昂贵，中波大 所减小。倒装焊机使用对准键合工具吸住芯片，利 面阵碲镉汞探测器的发展及应用受到极大的限制。 用自对准显示系统将芯片放在基座上，芯片