自由运转半导体激光器边模间的强度关联 - 山西大学.PDF

第56卷第4期2007年4月 物 理学 报 PHYSICA 11300．．3290／2007／56(04)／2202．．05 ACTA SINICA ④2007 Chin．Phya．Soe． 自由运转半导体激光器边模间的强度关联* 张玉驰 王晓勇 李 刚 王军民 张天才’ (山西大学光电研究所，量子光学与光量子器件国家重点实验室，太原030006) (2006年3月9日收到，2006年12月8日收到修改稿) 半导体激光器的强度和相位起伏一直是影响其应用的关键所在．在实验上研究了自由运转模式下半导体激光 器的强度噪声．采用自制的分辨率为0．Olnm的光谱仪成功地分辨出数十个边模，并利用射频低噪声光电探测器系 统，分析了激光器的主模与边模之间以及各边模之间的强度噪声关联特性．从实验上证实了主模与边模之问的负 关联效应，同时观察到边模之间存在的周期性负关联．该结果对进一步认识半导体激光器噪声的产生机制及强度 压缩光的产生机制具有重要意义． 关键词：半导体激光器，强度噪声，负关联 PACC：4255P，4262，0765 LD才可以看成是工作在单模振幅压缩状态，否则只 1．引 言 能认为噪声的压缩是多模负关联所致，是一种“多 模”光场总体上表现出的亚泊松统计特性．1998年， 半导体激光器(激光二极管，简称LD)因其小型 化、高效率、长寿命等特点，已经在许多领域获得了 nonlinearsaturable 的非线性饱和增益(asymmetrical 广泛的应用，特别是在现代通信、测量和基础科学研 鲥n)项，成功地解释了边模强度噪声谱不对称以及 究方面¨_31发挥了重要的作用．然而，LD较大的输主模与边模关联不对称的现象． 出线宽以及强度和相位起伏一直是限制其应用的关 尽管人们已经开展了很多研究，但对于LD在 键所在．长期以来人们一直致力于LD噪声问题，特 不同条件下的噪声特性仍然缺乏完整清晰的理解． 别是强度量子起伏的研究．Yamamoto¨1较早分析了 到目前为止，对于LD强度噪声的研究主要集中在 LD噪声产生的机制，并利用远低于电子学散粒噪声 主模与边模强度噪声的关联上，采用的理论模型只 noise dB 极限(shot limit)的恒流源抽运LD，获得8．6 考虑了主模与正负一级边模之问的强度起伏关联， 的强度压缩输出[4’5]．随后人们采用各种线窄技术而边模间的关联特性及边模噪声分布特性对于LD (1ine．narrowingtechniques)o卜叫抑制LD的强度噪声， 的总强度噪声的影响却很少研究，这对于全面了解 如注入锁定(injectionlocking)№^1、光栅反馈(feedback LD的强度噪声特性又是不可缺少的．为研究LD本 fromexternal grating)’8J，法布里．珀罗腔反馈归J、平面身固有的强度噪声特性，我们在实验上以自由运转 镜反馈H训等，都获得了不同程度的强度压缩和相位 模式下的量子阱LD作为研究对象，采用自制的分 噪声的抑制．进一步的研究表明，LD输出光场强度 辨率为0．01Ha的光谱仪将微弱的数十个LD的输 噪声的抑制主要是通过压缩边模，进而抑制模式分 出纵