光电管的特性.PPTVIP

第七章 光电式传感器 § 7－1 光电效应 ⑴光电子是否产生取决于光子能量，这意味着每一种金属物体都有一个对应的光频阈值，称为红限频率。光线的频率若低于红线频率，光子能量不足以使物体内电子逸出 ⑵光的频率不变，光越强，光电子越多，光强意味着光子数目多逸出的电子数目也越多 ⑶光电子逸出时具有初始动能，因此光电管即使没有正向电压也会有电流，为了使光电流为零，必须加反相电压，反相电压与光的频率成正比 设每级倍增率为 （一个电子能轰击出 个次级电子），若有n个次阴极，则总的光电流倍增系数为 ， 为各级次阴极 电子收集效率。倍增管阳极电流 与阴极电流 的关系为 光谱特性与阴极所用的材料有关 ⒈光敏电阻 ⒉光电导材料 ⒊光敏电阻的特性 ⑴暗电阻、亮电阻与光电流 ⑵伏安特性 ⑶光照特性 ⑷光谱特性 ⑸光敏电阻响应时间 和频率特性 为光电流上升为稳定值的63％所需要的时间 越大，频率特性越差 §7－3－2 光电池 光电池能直接将光通量转变为电动势，实际为电压源 一、结构和工作原理 1.用途 a. 作光电探测器使用 红外辐射探测器 光电读出 光电耦合 b. 作为电源使用 人造卫星 野外灯塔 微波站 脉冲光信号变换电路 §7－3－3光敏二级管和光敏三级管 一、光敏二级管 二、光敏三级管 三、光电管的特性 §7－4新型光电器件 P型层很薄使光子很快进入I区 I区电阻很大可加较高电压 高的电阻使暗电流明显减小，这些产生的光生电子－ 　空穴对将立刻被电场分离并作快速漂移运动 I区加入增大了耗尽层厚度 减小了结电容CJ，提高了量子效率 漂移时间约为 相当于f=１KMHz 二、雪崩光敏二级管（APD） §7－4－3色敏光电传感器 1.浅结对紫外光敏感 2.深结对红外光敏感 3.不同区域对不同波长分别具有不同灵敏度 这一特性为提供识别颜色创造了可能性 §7~5 光电传感器基本组成和原理 一、光电式传感器的基本组成 a. 直接对光源作用，使 每个参数变化 光源与光敏器件间的光路上，有物体时，光路被遮挡，5.开关式 没有物体，光路通畅。 开关 光电继电器 计数器 P N E E R V I 300lx 200lx 100lx 光敏二级管的伏安特性 400lx N P N ＋ － ＋ － E 波长短，光子在半导体表面被吸收，波长长时能量小 相对灵敏度/％ 硅 锗 光电三极管光谱特性 反向偏压/V 40 60 0 20 －20 －10 －30 400lx 600lx 800lx 1000lx 硅光电二极管伏安特性 0 2 6 4 10 8 30 20 40 400lx 700lx 500lx 600lx 300lx 硅光电三极管伏安特性 0 10 200 20 400 30 600 40 800 1000 2CUA 2CUA 2CUS 硅光电二级管光照特性 6 5 4 3 2 1 0 500 1000 硅光电三级管光照特性 3DU33 3DU52 3DU23 P N I 导带 价带 信号光 一、PIN光电二级管 P N 　　类似光电倍增管，具有内部电流增益 －－雪崩倍增光电流 ――无雪崩倍增时的反向饱和电流 ――倍增因子 　――外加电压 ――击穿电压 ――常数，约为1～3 P P N 电极1 电极2 电极3 紫光浅结 红光深结 长波 大 短波 大 由实验得出标定曲线，根据标定曲线实测出某一单色光的短路电流比值，即可确定该单色光波长 §7－4－4 光电位置传感器 ＋ ＋ － － N P 当两电级间距已知时只要测出 和 的值就可求得光点照射的位置 a b a’ b’