sio2 reactive sputtering – o2 flow and bias data aja1.pdf

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2017-09-02 发布于天津
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sio2 reactive sputtering – o2 flow and bias data aja1

SiO2 Reactive Sputtering – O2 Flow and Bias Data AJA1 Thickness - Index - Etch Rate – vs O2 flow: 1 hour: Ar 25sccm; 200W RF; Bias 10W; 3mT; Ht/Tilt 25/9 Thickness - Index - Etch Rate – vs Bias: 1 hour: O2/Ar 3(5)/25sccm; 200W RF; 3mT; Ht/Tilt 25/9 AFM – vs O2 flow and Bias: 1 hour: Ar 25sccm; 200W RF; 3mT; Ht/Tilt 25/9; Room T AFM Measurements SiO2 AJA1 Ar-25sccm, 3mT, 200W, 1 hour, Ht/Tilt 25/9 roughness in nm Gas flow Bias name R R R q a max 5 02 0 W j 0.809 0.634 6.7600 5 02 5 W i 0.0782 0.0624 0.6620 5 02 10 W a 0.0866 0.0689 0.6820 3 02 0 W m 1.61 1.27 12.0 3 02 10 W k 0.0727 0.0576 1.4500 j.) i.) a.) m.) k.) Roughness Optimization on Silicon – Mike Davenport Data O2/Ar 2.5/25sccm; 3mT; Ht/Tilt 44/4; Room T; 10W bias 250W RF unless noted otherwise On Ultra-Smooth Substrate: Result: 0.13nm RMS roughness for 500nm thick film