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半导体存储器 概 述 只读存储器 随机存储器 存储容量的扩展 用存储器实现组合逻辑函数 存储器概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。 存储容量、存取速度、价格和可靠性是衡量存储器性能的重要指标。 存取速度 存取时间是指完成一次存储器读/写操作所需要的时间。也称为读写时间。 读、写操作统称为“访问”。 半导体存储器从存、取功能上分为两大类。 只读存储器（ROM） 随机存储器（RAM） 只读存储器 只读存储器特点 ROM中存放的数据一般不能用简单的方法改写。 正常使用时主要进行读取操作。 断电后内部信息不丢失。 一般用于存放固定的数据或程序。 只读存储器的类型 掩模式ROM 一次可编程ROM（PROM） 紫外线可擦除ROM（EPROM） 电可擦除ROM（EEPROM） 快闪存储器（Flash Memory） ROM的基本结构 ROM的工作原理 各类ROM 掩模ROM 生产时ROM，根据用户需要，直接“固化”数据。 可编程ROM 通用无“数据”ROM，由设计人员根据需要，一次性写入数据。（操作不可逆） 可擦除可编程ROM EPROM 紫外线擦除，可反复重写数据； EEPROM 电可擦除， 快闪存储器Flash Memory 已用于数据移动存储，容量等指标不断优化。 随机存储器 RAM 特点 可随时从任何制定地址读写数据，使用灵活； 存在数据易失性的缺点，断电数据丢失。 RAM 分类 静态RAM （SRAM） 动态RAM （DRAM） 静态RAM 结构及工作原理 存储器容量的扩展 位扩展方式 前提：字数够用，位数不够。 方法：多片存储器地址线、控制线分别并联， 数据线并列。 字扩展方式 前提：位数够用，字数不够。 方法：多片存储器地址线根据实际情况部分并 联，部分地址线和控制线组合扩充，数 据线并联。 用存储器实现组合逻辑函数 出发点： ROM的本质仍属于组合逻辑电路。 方法： 设置不同地址的数据值，等效为所需的组合逻辑函数。 将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 存储矩阵由许多存储单元排列而成，每一个存储单元或一组存储单元有一个对应地址代码。 提高存储器的带负载能力， 实现对输出状态的三态控制，以便于系统的总线联接。 A1、A0 地址线 W3 W2 W1 W0 字线 D3 D2 D1 D0 位线 （数据线） 字线、位线的交叉点即为存储单元。 字线数与位线数的乘积表示存储容量。 4×4位ROM 地址译码器 存储体 存储内容 A1=0A0=0 W0=1 W1=0 W2=0 W3=0 D3=1 D1=1 D0=1 D2=0 A1=0A0=1 W0=0 W1=1 W2=0 W3=0 D3=0 D1=0 D0=1 D2=1 A1=1A0=0 W0=0 W1=0 W2=1 W3=0 D3=1 D1=0 D0=0 D2=1 A1=1A0=1 W0=0 W1=0 W2=0 W3=1 D3=0 D1=1 D0=1 D2=1