桥变换器.docVIP

Full-bridge converter变换器 电气0810 赵玮 题目： 设计一Full-bridge converter变换器。输出电压48V， 功率为100W。其中：输入电压为直流48V~8V。 要求： 1.通过计算选参数把输出电压纹波Vp-Vp控制在2%之内。 2.主电路元器件的选用、控制芯片的选用、各种为改善电源质量的电磁兼容措施等，任由各位同学自己决定，但要说明选用的理由。 3. 要有：过压和欠压保护；短路保护?；过电流保护措施 一、主电路工作原理及器件选择 1、全桥变换工作原理 全桥变换器的主电路如下图1所示，其主要工作波形如下图2所示。仅需在全桥电路上增加一个谐振电感L或利用变压器漏感，便可通过L1与功率开关管输出电容Ci(i=1，2，3，4)的谐振，在电感储能释放过程中，使Ci上的电压u逐步下降到零，而使功率开关管体内的寄生二极管VDi(i=l，2，3，4)开通，使电路中4个开关器件实现零电压开通或零电流关断。通过改变对角线上开关管驱动信号之间的相位差来改变占空比，以达到控制输出电压的目的。变压器副边所接整流二极管VD5、VD6实现全波整流。 2、Full-bridge converter变换器结构 图1 3、全桥变换器工作波形 图2 4、参数计算和器件选择 1）变压器的选择 为了在规定的输入电压范围内能够输出所要求的电压，变压器的变比应按最低输入电压U选择。为了降低输出整流二极管的反向电压，为了提高高频变压器的利用率，减小开关管的电流，选择副边的最大占空比为0.85，则可计算出副边电压为： 其中：是最高输出电压，即均充电压；是输出整流二极管的通态压降；是输出滤波电感上的直流压降。取，，所以，所以变压器原副边变比为 ，变比即为：K=0.89。 变压器铁芯选用的是铁基纳米晶合金铁芯，它具有高导磁率，低损耗和优良的温度特性，广泛应用于推挽或桥式高频大功率逆变电源和开关电流中。 2）输出整流二极管的选择 输出整流二极管是工作在高频状况下的，因此应选用快恢复二极管。 本实验所设计的电源，其变压器的副边采用全波整流电路，所以整流管的反向电压为， 整流管流过的最大电流为，因此可选用规格为的快恢复二级管。 3）输出滤波电容 输出滤波电容的计算公式为： 其中取 ，把各相关量代人公式得。 4）输出滤波电感的计算 全桥变换器的输出滤波电感值为： 式中为输出滤波电感上的直流压降(初步假定其为1 V)；为输出整流二极管的通态压降。把各相关量代人得。 二、控制电路 1、控制电路设计 2、驱动电路设计 驱动电路电源结构图 IGBT是电压驱动型的器件，在栅极和射极间加上驱动电压即可开通，该电压值一般选择15V左右，本电路选择15V电压驱动。关断时，加上适当的反向电压，可以使IGBT迅速关断，为了提高IGBT的抗扰能力，选择12V电压作为关断时的反向电压。 IGBT的驱动电路应具备两个功能：一，实现控制电路和被驱动的IGBT的栅极电隔离；二，提供合适的栅极驱动脉冲。隔离形式可以是脉冲变压器，微分变压器或者光电耦合装置，这里采用光耦隔离，为了降低电磁干扰，每路驱动信号都采用独立的电源来进行设计，电路如上图所示，采用L7815和L7912分别产生+15V和-12V电压为IGBT驱动电路供电。 驱动电路结构图 驱动电路的设计，由TLP250芯片构成，该芯片具有光耦隔离放大功能，驱动能力强，隔离电压高，响应速度快。每一路信号都采用独立的电源供电，有效避免了相互之间的电磁干扰，提高了系统的可靠性。IGBT栅极需串联一定的电阻，若该电阻较大，会使IGBT的开通和关断时间增大，则开通和关断损耗也增大；若该电阻较小，会造成IGBT的电流上升率增大，同时门极所串联电阻上的损耗也增加。因此，栅极电阻的大小影响驱动波形的上升、下降速率，需要合理选择该电阻的大小，一般情况下，该电阻小于。本实验中，栅极电阻选择大小的阻值。另外，IGBT的引线过长容易引起振荡，因此，在线路中，其电阻的接入应尽量靠近IGBT。整个驱动电路系统如上图所示。 3、过电流保护设计 芯片内有一个电流比较器，其同相端接电流检测端C／S+(pin 5)，反向端在内部接了个2.5V电压。当C／S+电压超过2.5V时，电流比较器输出高电平，使输出级全部为低电平，封锁输出，同时，将软起动脚的电压拉到0V，使输出级移相角为0°。当C／S+电压低于2.5V后，电流比较器输出低电平，开启输出，软起动电路开始工作。 4、欠压保护设计 芯片内具有欠电压封锁功能。发生欠电压封锁时，所有输出端均为低电平，一直到电源电压达到10.75门限值。为了提高欠电压封锁的可靠性，通常欠电压封锁门限制滞后1.5v，即当电源电压下降到9.25时，欠电压封锁电路仍工作。该器件